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Email: sales@shunlongwei.com
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Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: IGBT moduli
RoHS: No
Configurazione: Triple Common Emitter Common Gate
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 3300 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 3.4 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 2000 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 14.5 kW
Confezione / custodia: IS5a (62 mm) -9
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Temperatura operativa massima: + 125 C
Confezionamento: vassoio
Altezza: 38 mm
Lunghezza: 190 mm
Larghezza: 140 mm
Marchio: Infineon Technologies
Stile di montaggio: montaggio a vite
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/-20 V
Tipo di prodotto: IGBT moduli
Quantità confezione da fabbrica: 1
Sotto: IGBTs
Alias n. Parte: FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603