Infineon FZ1200R33KF2C em estoque

Atualização: 18 de novembro de 2023

 

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Email: sales@shunlongwei.com
 

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Fabricante: Infineon 
Categoria de Produto: IGBT Módulos 
RSP: N  
Configuração: Triple Common Emitter Common Gate 
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 3300 V 
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 3.4 V 
Corrente de coletor contínua a 25 C: 2000 A 
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA 
Pd - Dissipação de energia: 14.5 kW 
Pacote / Caixa: IS5a (62 mm) -9 
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C 
Temperatura máxima de operação: + 125 C 
Embalagem: Bandeja 
Altura: 38 mm  
Comprimento: 190 mm  
Largura: 140 mm  
Marca: Infineon Technologies  
Estilo de montagem: Montagem por parafuso  
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V  
Tipo de produto: IGBT Módulos  
Quantidade do pacote de fábrica: 1  
Subcategoria: IGBTs  
Aliases da peça: FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603