#SIR164DP SI SIR164DP Nuovo mosfet N-CH DS 30V 8-SOIC, immagini SIR164DP, prezzo SIR164DP, fornitore #SIR164DP
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: SIR164DP-T1-GE3
Codice Pbfree: non consigliato
Ihs Produttore: VISHAY SILICONIX
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione del pacchetto: PICCOLO PROFILO, R-PDSO-C5
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Vishay Siliconix
Grado di rischio: 7.74
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 80 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 50 A
Scarico corrente-max (ID): 33.3 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.0025 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PDSO-C5
Codice JESD-609: e3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 5
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 69 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 70 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: LATTA OPACA
Modulo terminale: C BEND
Posizione terminale: DUAL
Ora
MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC
Codice Pbfree: non consigliato
Ihs Produttore: VISHAY SILICONIX
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione del pacchetto: PICCOLO PROFILO, R-PDSO-C5
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Vishay Siliconix
Grado di rischio: 7.74
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 80 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 50 A
Scarico corrente-max (ID): 33.3 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.0025 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PDSO-C5
Codice JESD-609: e3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 5
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 69 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 70 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: LATTA OPACA
Modulo terminale: C BEND
Posizione terminale: DUAL
Ora
MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC