#СИР164ДП SI SIR164DP Новый MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC, фотографии SIR164DP, цена SIR164DP, поставщик # SIR164DP
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sir164dp.html
-----------------------
Номер детали производителя: SIR164DP-T1-GE3
Код без содержания свинца: не рекомендуется
Ihs Производитель: VISHAY SILICONIX
Код упаковки детали: SOT
Описание упаковки: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-C5
Количество контактов: 8
Код ECCN: EAR99
Производитель: Vishay Siliconix
Рейтинг риска: 7.74
Рейтинг энергии лавин (EAS): 80 мДж
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 50 A
Максимальный ток стока (ID): 33.3 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.0025 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JESD-30: R-PDSO-C5.
Код JESD-609: e3.
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 5
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 69 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 70 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: МАТОВОЕ ОЛОВО
Форма клеммы: C BEND
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
МОП-транзистор Н-СН DS 30В 8-SOIC
Код без содержания свинца: не рекомендуется
Ihs Производитель: VISHAY SILICONIX
Код упаковки детали: SOT
Описание упаковки: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-C5
Количество контактов: 8
Код ECCN: EAR99
Производитель: Vishay Siliconix
Рейтинг риска: 7.74
Рейтинг энергии лавин (EAS): 80 мДж
Подключение корпуса: СЛИВ
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 50 A
Максимальный ток стока (ID): 33.3 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.0025 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JESD-30: R-PDSO-C5.
Код JESD-609: e3.
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 5
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 69 Вт
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 70 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: МАТОВОЕ ОЛОВО
Форма клеммы: C BEND
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
МОП-транзистор Н-СН DS 30В 8-SOIC