#SIR164DP SI SIR164DP 신규 이끼 N-CH DS 30V 8-SOIC, SIR164DP 사진, SIR164DP 가격, #SIR164DP 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/sir164dp.html
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제조업체 부품 번호: SIR164DP-T1-GE3
Pbfree 코드: 권장하지 않음
Ihs 제조사: VISHAY SILICONIX
부품 패키지 코드 : SOT
패키지 설명: 소형 아웃라인, R-PDSO-C5
Pin Count : 8
ECCN 코드 : EAR99
제조사: Vishay Siliconix
위험 순위 : 7.74
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 80mJ
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 30V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 50A
최대 드레인 전류 (ID) : 33.3A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.0025 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PDSO-C5
JESD-609 코드 : e3
요소 수 : 1
터미널 수 : 5
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 69W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 70A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
터미널 마감 : MATTE TIN
터미널 형태 : C BEND
터미널 위치 : DUAL
Time
MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC
Pbfree 코드: 권장하지 않음
Ihs 제조사: VISHAY SILICONIX
부품 패키지 코드 : SOT
패키지 설명: 소형 아웃라인, R-PDSO-C5
Pin Count : 8
ECCN 코드 : EAR99
제조사: Vishay Siliconix
위험 순위 : 7.74
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 80mJ
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 30V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 50A
최대 드레인 전류 (ID) : 33.3A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.0025 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PDSO-C5
JESD-609 코드 : e3
요소 수 : 1
터미널 수 : 5
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 69W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 70A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
터미널 마감 : MATTE TIN
터미널 형태 : C BEND
터미널 위치 : DUAL
Time
MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC