#SIR164DP SI SIR164DP Nieuw mosfet N-CH DS 30V 8-SOIC, SIR164DP foto's, SIR164DP prijs, #SIR164DP leverancier
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/sir164dp.html
-----------------------
Artikelnummer fabrikant: SIR164DP-T1-GE3
Pbfree-code: niet aanbevolen
Ihs Fabrikant: VISHAY SILICONIX
Onderdeelpakketcode: SOT
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-C5
Aantal pinnen: 8
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: Vishay Siliconix
Risicorang: 7.74
Lawine-energieclassificatie (Eas): 80 mJ
Behuizingsaansluiting: DRAIN
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 50 A
Afvoerstroom-Max (ID): 33.3 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.0025 Ω
FET Technologie: METAALOXIDE Halfgeleider
JESD-30-code: R-PDSO-C5
JESD-609-code: e3
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 5
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (cel): 260
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 69 W
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 70 A
Kwalificatiestatus: niet gekwalificeerd
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: MAT TIN
Terminalvorm: C BEND
Eindpositie: DUAL
Tijd
MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC
Pbfree-code: niet aanbevolen
Ihs Fabrikant: VISHAY SILICONIX
Onderdeelpakketcode: SOT
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-C5
Aantal pinnen: 8
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: Vishay Siliconix
Risicorang: 7.74
Lawine-energieclassificatie (Eas): 80 mJ
Behuizingsaansluiting: DRAIN
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 50 A
Afvoerstroom-Max (ID): 33.3 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.0025 Ω
FET Technologie: METAALOXIDE Halfgeleider
JESD-30-code: R-PDSO-C5
JESD-609-code: e3
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 5
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (cel): 260
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 69 W
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 70 A
Kwalificatiestatus: niet gekwalificeerd
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: MAT TIN
Terminalvorm: C BEND
Eindpositie: DUAL
Tijd
MOSFET N-CH DS 30V 8-SOIC