Capacità del modulo IGBT Fuji 7MBR50VP120-50: Gestione termica: Intervallo di temperatura: Caratteristiche di protezione: Informazioni sul modulo: Conformità: Dettagli del produttore: Informazioni sul modello:
Informazioni sul produttore: Informazioni sulla confezione: Caratteristiche elettriche: Configurazione e tipo: Temperatura e riflusso: Connessione e terminali: Altre informazioni:
Caratteristiche principali: Applicazioni tipiche: Specifiche elettriche:
SKM200GAL1200KL di Semikron è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte ad alta potenza, realizzato appositamente per diverse applicazioni come azionamenti di motori industriali, sistemi di energia rinnovabile e applicazioni di trazione. Racchiuso nel contenitore compatto SEMITRANS 2, questo modulo presenta due transistor bipolari a gate isolato disposti in una topologia a mezzo ponte. Dal design robusto, garantisce una tensione massima collettore-emettitore di 1200V […]
#BSM35GP120 Caratteristiche · Basso VCE (sat) · Confezione compatta · Montaggio su scheda PC · Convertitore a ponte di diodi, circuito di frenatura dinamica Applicazioni · Inverter per azionamento motore · Amplificatore per servoazionamento CA e CC · Gruppo di continuità Valori nominali e caratteristiche massime. Valori nominali massimi assoluti ( Tc=25°C se non diversamente specificato) Tensione collettore-emettitore Vces:1600V Tensione gate-emettitore VGES:±20V Corrente collettore Ic:35A […]
Caratteristiche principali della serie IGBT-IPM 7MBP25RA120 R: Valori nominali e caratteristiche massime: questo modulo IGBT Fuji, il 7MBP25RA120-59, offre una gamma di funzionalità e specifiche impressionanti, che lo rendono adatto a varie applicazioni nell'elettronica di potenza e nei sistemi di controllo.
Informazioni sul prodotto: Caratteristiche: Linee guida per lo stoccaggio e il trasporto:
Le informazioni fornite riguardano un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) di Semikron con il numero di modello SKKD 75F12. Ecco alcune delle sue caratteristiche, applicazioni e valori nominali massimi: Caratteristiche: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime: Questo modulo IGBT è progettato per applicazioni ad alta potenza ed è importante utilizzarlo entro i limiti specificati […]
Un breve tutorial sui vantaggi intrinseci della modalità D normalmente disattivata rispetto alla modalità GaN E-Mode Indiscutibilmente, i semiconduttori di potenza GaN sono un argomento caldo nell'elettronica di potenza. Oggi prevalgono due varianti di transistor: cascode GaN e e-mode GaN. Di fronte alla scelta, il dibattito a volte tende inspiegabilmente verso la modalità elettronica. In realtà, cascode GaN si rivela […]