30 gennaio 2024 — Secondo i rapporti, si prevede che molte fabbriche di chip avvieranno la produzione di massa in Giappone nel 2024, il che stimolerà la crescita e lo sviluppo della catena di fornitura nazionale di semiconduttori del Giappone e migliorerà le capacità di produzione di chip del Giappone. Nella città di Kikuyo, nella prefettura di Kumamoto, in Giappone, la Japan Advanced Semiconductor Manufacturing (JASM), investita da TSMC, Sony e […]
Il corretto sequenziamento di più binari di alimentazione in un sistema è una funzione fondamentale e può essere realizzato utilizzando approcci diversi. I progettisti esperti sanno che uno dei periodi più rischiosi nel ciclo operativo di un prodotto è quando viene acceso. Questa fase di accensione è quando ciascuno dei molteplici binari di alimentazione deve emergere […]
Specifiche elettriche: Caratteristiche fisiche: Dettagli aggiuntivi: Descrizione: Esplora le capacità ad alte prestazioni di Infineon FZ400R12KE3, un modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) attivo a canale N con una corrente di collettore di 650 A e una tensione collettore-emettitore di 1200 V. Questo modulo è progettato con un diodo integrato per funzionalità avanzate. Il pacchetto rettangolare con montaggio a flangia con […]
Modulo IGBT Semikron SKKD 46/12: una guida completa Esplora le caratteristiche e le specifiche del modulo IGBT Semikron SKKD 46/12, un diodo ad alte prestazioni con una struttura a semiconduttore in una doppia serie. Prodotto da Semikron, questo modulo è progettato per varie applicazioni, garantendo affidabilità ed efficienza. Specifiche chiave: Informazioni aggiuntive: questo diodo Semikron, con il suo […]
Modulo IGBT Fuji 1MBI300N-120: Caratteristiche: Applicazioni: Valori nominali e caratteristiche massime:
12 gennaio 2024 — Renesas Electronics ha annunciato l'11 gennaio di aver raggiunto un accordo definitivo per l'acquisizione di Transphorm, Inc., leader globale nei robusti semiconduttori di potenza al nitruro di gallio (“GaN”). La transazione valuta Transphorm circa 339 milioni di dollari. L’acquisizione fornirà a Renesas la tecnologia GaN interna, un materiale chiave di prossima generazione per i semiconduttori di potenza, […]
Esplora le caratteristiche avanzate e le specifiche del modulo IGBT SANREX DF150AA160 in questa scheda tecnica completa. Ideale per varie applicazioni come azionamenti di motori CA e CC, AVR e commutazione trifase, questo modulo offre elevata affidabilità e prestazioni efficienti. Con una temperatura di giunzione massima di 150°C e una passivazione del vetro unica, fornisce una soluzione robusta […]
8 gennaio 2024 — onsemi ha recentemente annunciato il lancio di nove nuovi moduli integrati di potenza (PIM) EliteSiC che forniscono funzionalità di ricarica bidirezionale per caricabatterie DC per veicoli elettrici ultraveloci (EV) e sistemi di accumulo di energia (ESS). Le soluzioni basate sul carburo di silicio miglioreranno notevolmente i costi del sistema con maggiore efficienza e meccanismi di raffreddamento più semplici in grado di ridurre le dimensioni […]
Modulo IGBT Semikron SKKT 106B16 E: specifiche, caratteristiche e applicazioni Esplora il potente modulo IGBT Semikron SKKT 106B16 E, un dispositivo a semiconduttore all'avanguardia progettato per varie applicazioni. Ecco le specifiche principali: Progettato pensando alla precisione e all'affidabilità, Semikron SKKT 106B16 E offre prestazioni superiori in un modulo compatto, rendendolo adatto […]