Vendite Email: sales@shunlongwei.com Modulo IGBT #FS450R12KE3_S1 – Caratteristiche e valori nominali massimi Il modulo IGBT #FS450R12KE3_S1 ha i seguenti valori nominali massimi assoluti (se non diversamente specificato a Tc=25°C):
Tecnologie Infineon. È specificamente progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Ecco alcune specifiche e caratteristiche principali di FP15R12YT3:Produttore: Infineon TechnologiesNumero parte: FP15R12YT3Tipo di modulo di alimentazione: IGBT (transistor bipolare a gate isolato)Corrente massima di collettore (IC): 15ATensione collettore-emettitore (VCE): 1200VTissipazione di potenza totale (Ptot): 150 W. Voltaggio gate-emettitore (VGES): +/-20 V. Intervallo di temperatura: da -40 a 150 °C. Peso: non specificato. Alcune caratteristiche degne di nota del […]
applicazioni di commutazione e presenta tecnologie avanzate per un funzionamento efficiente e affidabile. Produttore: Infineon Technologies Codice articolo: FZ1000R16KF4 Tipo di modulo di alimentazione: IGBT (transistor bipolare a gate isolato) Corrente massima di collettore (IC): 1000 A Tensione collettore-emettitore (VCE): 1600 V Dissipazione di potenza totale (Ptot) : 9600 W. Tensione di picco gate-emettitore (VGES): +/- 20 V. Intervallo di temperatura: da -40 a 150 ° C. Peso: 800 g. Configurazione: Chip IGBT singolo. Tipo di pacchetto: Modulo. Stile di montaggio: Montaggio a vite. Capacità di gestione ad alta potenza. Bassa conduzione e commutazione […]
L'FP15R12W1T4 è un modulo di potenza progettato da Infineon Technologies. Fa parte della serie di prodotti EconoPACK™ 2 e offre elevata densità di potenza ed efficienza per varie applicazioni elettroniche di potenza. Caratteristiche principali: Capacità di frequenza di commutazione elevata Basse perdite di potenza Diodo di ricircolo rapido integrato Design del modulo compatto e robusto Piastra base isolata per prestazioni termiche migliorate Elevata affidabilità e lunga durata Specifiche: Modulo […]
Vendite Email: sales@shunlongwei.com Presentazione del modulo IGBT Infineon BSM200GB120DN2, una soluzione all'avanguardia per applicazioni di elettronica di potenza. Questo modulo fa parte della vasta gamma di moduli IGBT di Infineon, rinomati per le loro elevate prestazioni e affidabilità. Progettato per soddisfare gli standard del settore, offre numerose funzionalità e vantaggi. Il BSM200GB120DN2 è disponibile in una configurazione Half Bridge, che lo rende versatile […]
Vendite Email: sales@shunlongwei.com Infineon FZ2400R17HP4_B2 Nuovo modulo IGBT Applicazioni tipiche: Caratteristiche elettriche: Caratteristiche meccaniche: Valori nominali e caratteristiche massime: (Tc=25°C se non diversamente specificato)
Vendite Email: sales@shunlongwei.com Presentazione del nuovo modulo IGBT (transistor bipolare a gate isolato) di Infineon, il BSM75GD120DN2. Questo modulo avanzato offre caratteristiche e specifiche impressionanti per varie applicazioni ad alta potenza. Ecco alcuni dettagli chiave su questo modulo: Modello: BSM75GD120DN2Produttore: Infineon TechnologiesTipo di modulo IGBT: doppio IGBTtensione massima collettore-emettitore (Vces): tipicamente 1200VCorrente continua massima di collettore (IC): tipicamente 75A […]
FP40R12KT3 è un modulo di potenza o modulo transistor prodotto da Infineon Technologies. Questo modulo appartiene alla famiglia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ed è progettato per applicazioni ad alta potenza. Ecco alcune specifiche e caratteristiche chiave del modulo FP40R12KT3: Potenza nominale 40 A e 1200 V Configurazione: è un modulo a interruttore singolo, il che significa che è costituito da un singolo […]
Vendite Email: sales@shunlongwei.com Il BSM35GP120 è un modulo IGBT trans all'avanguardia rinomato per le sue prestazioni eccezionali e le sue applicazioni versatili. Ricco di una gamma di funzionalità straordinarie, questo modulo è progettato per soddisfare i requisiti esigenti di azionamenti di motori, amplificatori di servoazionamenti e sistemi di alimentazione senza interruzioni. Caratteristiche principali: VCE basso (sat): il modulo BSM35GP120 vanta un […]