Tecnologie Infineon. È specificamente progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Ecco alcune specifiche e caratteristiche chiave dell'FP15R12YT3:
Produttore: Infineon Technologies
Numero parte: FP15R12YT3
Potenza Moduli Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor)
Corrente massima del collettore (IC): 15 A
Collettore-Emettitore voltaggio (VEC): 1200V
Dissipazione di potenza totale (Ptot): 150 W
Porta-emettitore voltaggio (VGES): +/-20V
Intervallo di temperatura: da -40 a 150°C
Peso: non specificato
Alcune caratteristiche degne di nota dell'FP15R12YT3 includono:
Capacità di alta tensione per la gestione di applicazioni ad alta potenza.
Basse perdite di conduzione e di commutazione per una migliore efficienza.
Design compatto e robusto per un funzionamento affidabile.
Adatto a varie applicazioni tra cui controllo motore, alimentatori e inverter.