I costi di imballaggio del modulo di potenza dipendono interamente dai materiali di imballaggio, come i materiali di fissaggio del die e del substrato ceramico, e dalle dimensioni dell'imballaggio. Nel 2023, rappresentava un mercato da 2.3 miliardi di dollari, con il costo dei materiali per l’imballaggio dei moduli di potenza che rappresentava circa il 2023% del costo totale dei moduli di potenza. Il costo dei materiali avrà […]
Hitachi Semiconductor e Mitsubishi Electric sono stati i partner fondatori di Renesas nel 2002 mentre NEC Electronics, il ramo semiconduttori di NEC, si è unito a Renesas nel 2010. Nel 2013, il fondo statale INCJ ha acquisito una quota del 69%. Da allora, Renesas è stata un successo con il prezzo delle sue azioni in aumento di 13 volte e un fatturato per dipendente di $ 2022 nel 480,000, […]
"Modulo IGBT Mitsubishi CM800DU-12H: specifiche, caratteristiche e dettagli sulle prestazioni per applicazioni ad alta potenza" Specifiche CM800DU-12H:
Specifiche del modulo IGBT Mitsubishi QM150DY-H Scopri le caratteristiche all'avanguardia del modulo IGBT Mitsubishi QM150DY-H, una potente soluzione per varie applicazioni industriali. Caratteristiche principali: Dettagli sulle prestazioni: Applicazioni: Design versatile: Prestazioni affidabili:
Specifiche del modulo IGBT Mitsubishi CM400DU-24NFH: Caratteristiche elettriche: Dettagli operativi: Informazioni sulla confezione: Ambientali e varie: Dettagli del produttore: Informazioni sul terminale:
Mitsubishi PM15RSH120 è un modulo di potenza intelligente (IPM) progettato per applicazioni ad alte prestazioni, che sfrutta la tecnologia IGBT avanzata per un funzionamento affidabile e resistente ai danni. Questo modulo di prima qualità vanta un design robusto ed è dotato di un gate drive logico integrato, che ottimizza la funzionalità del modulo a transistor. Le caratteristiche principali del PM15RSH120 includono un circuito di alimentazione completo […]
4 dicembre 2023 — Nexperia ha recentemente annunciato i suoi primi MOSFET al carburo di silicio (SiC) con il rilascio di due dispositivi discreti da 1200 V in packaging TO-3 a 247 pin con valori RDS(on) di 40 mΩ e 80 mΩ. NSF040120L3A0 e NSF080120L3A0 sono i primi di una serie di rilasci pianificati che vedranno il portafoglio di MOSFET SiC di Nexperia espandersi rapidamente a […]
15 novembre 2023 — Nexperia ha recentemente annunciato di aver stretto una partnership strategica con Mitsubishi Electric Corporation per sviluppare congiuntamente MOSFET al carburo di silicio (SiC). Questa collaborazione vedrà Nexperia e Mitsubishi Electric, entrambe aziende leader nei rispettivi settori, unire le forze per spingere l’efficienza energetica e le prestazioni dei semiconduttori SiC a banda larga larga […]