Modulo IGBT Toshiba MG100J7CSAOA

Il Toshiba MG100J7CSAOA è un IGBT (Insulated Gate Bipolare Transistor) modulo progettato per applicazioni di commutazione e controllo motore ad alta potenza. Ecco le specifiche e le valutazioni di questo modulo:

  • Produttore: Toshiba
  • Modello: MG100J7CSAOA
  • IGBT Tipo: canale N in silicio IGBT
  • Applicazioni: commutazione ad alta potenza, controllo motori
  • Caratteristiche:
    • Elettrodi isolati dalla custodia
    • Alta impedenza di ingresso
    • 7 IGBT integrati in 1 pacchetto
    • Operazione in modalità miglioramento
    • IGBT di tipo ad alta velocità con le seguenti caratteristiche:
      • Saturazione collettore-emettitore voltaggio (VCE (sat)) massimo: 2.5 V (@ IC = 100 A)
      • Tempo di caduta (tf) massimo: 0.5µs (@ IC = 100 A)
      • Tempo di ripristino inverso (trr) massimo: 0.3µs (@ IF = 100A)
  • Equivalente circuito: JEDEC, JEITA, Toshiba
  • Peso: 520 g (tipico)
  • Valori nominali massimi stadio inverter (Ta = 25°C):
    • Collettore-Emettitore voltaggio (Vce): 600V
    • Tensione gate-emettitore (VGES): ±20V
    • Corrente del collettore (DC, Ic): 100A
    • Corrente collettore (1ms, Tcp): 200A
    • Dissipazione di potenza del collettore (TC = 25°C): PC = 300W
    • Tensione di isolamento (CA, 1 min): Visol = 2500 V
    • Temperatura di giunzione (Tj): +150°C
    • Intervallo di temperatura di conservazione (Tstg): da -40 a +125°C
    • Coppia di serraggio: 3/3 N·m