מאי. 17, 2023 /סמימדיה/ — NXP Semiconductors הודיעה אתמול על שיתוף הפעולה שלה עם TSMC כדי לספק את ה-MRAM המוטמע לרכב הראשון (Magnetic Random Access Memory) ב-16 ננומטר FinFET טֶכנוֹלוֹגִיָה. כאשר יצרניות רכב עוברות לרכבים מוגדרי תוכנה (SDVs), הם צריכים לתמוך בכמה דורות של שדרוגי תוכנה בפלטפורמת חומרה אחת. חיבור מעבדי רכב S32 בעלי הביצועים הגבוהים של NXP עם זיכרון לא נדיף מהיר ואמין במיוחד בטכנולוגיית FinFET של 16 ננומטר מספק את פלטפורמת החומרה האידיאלית למעבר זה.
MRAM יכול לעדכן 20MB של קוד ב-3 שניות בערך בהשוואה לזיכרונות הבזק הנמשכים כדקה אחת, ולמזער את זמן ההשבתה הקשור לעדכוני תוכנה ולאפשר ליצרניות רכב לחסל צווארי בקבוק הנובעים מזמן ארוך. מודול זמני תכנות. יתרה מכך, MRAM מספקת טכנולוגיה אמינה ביותר עבור פרופילי משימות רכב על ידי מתן עד מיליון מחזורי עדכון, רמת סיבולת גדולה פי 10 מפלאש וטכנולוגיות זיכרון מתפתחות אחרות.
SDVs מאפשרים ליצרניות רכב להפיץ תכונות נוחות, בטיחות ונוחות חדשות באמצעות עדכוני אויר-אוויר (OTA), להאריך את חיי הרכב ולשפר את הפונקציונליות, המשיכה והרווחיות שלו. ככל שתכונות מבוססות תוכנה הופכות לנפוצות יותר בכלי רכב, תדירות העדכונים תגדל, והמהירות והחוסן של MRAM יהפכו חשובים עוד יותר.
טכנולוגיית ה-MRAM המוטבעת 16FinFET של TSMC עולה על הדרישות הקפדניות של יישומי רכב עם סיבולת מחזור של מיליון, תמיכה בזרימה חוזרת של הלחמה ושמירת נתונים ל-20 שנה ב-150 מעלות צלזיוס.
"החדשנים ב-NXP תמיד מיהרו לזהות את הפוטנציאל של טכנולוגיות התהליך החדשות של TSMC, במיוחד עבור יישומי רכב תובעניים. אנו נרגשים לראות את טכנולוגיית ה-MRAM המובילה שלנו מופעלת בפלטפורמת S32 של NXP כדי לאפשר את הדור הבא של כלי רכב מוגדרי תוכנה", אמר קווין ג'אנג, סגן נשיא בכיר לפיתוח עסקי ב-TSMC.
"שיתוף הפעולה המוצלח של NXP עם TSMC משתרע על פני עשרות שנים והביא בעקביות טכנולוגיית זיכרון משובץ באיכות גבוהה לשוק הרכב. MRAM הוא תוספת פורצת דרך לפורטפוליו פתרונות הרכב של NXP S32 התומך בארכיטקטורות כלי רכב מהדור הבא", אמר אנרי ארדבול, סגן נשיא בכיר ומנהל כללי של עיבוד רכב ב-NXP.
דגימות רכב מבחן מלאות ונמצאות בהערכה. דגימות מוצר ראשוניות מתוכננות לזמינות לקוחות מובילים בתחילת 2025.
ראה עוד : מודולי IGBT | LCD מציג | רכיבים אלקטרוניים