Renesas Electronics Corporation ייצר את ה-MCU הראשון שלה המבוסס על תהליך מתקדם של 22nm טֶכנוֹלוֹגִיָה. החברה יכולה להציע ללקוחות ביצועים מעולים בצריכת חשמל נמוכה יותר המונעת על ידי ירידה במתחי הליבה באמצעות טכנולוגיית תהליך חדישה. טכנולוגיית התהליך המתקדמת מאפשרת גם שילוב של מערך תכונות עשיר, כולל פונקציות כגון RF. כמו כן, צומת התהליך המתקדם מנצל שטח קוביות קטן יותר עבור אותה פונקציונליות, וכתוצאה מכך שבבים קטנים יותר עם אינטגרציה גבוהה יותר של ציוד היקפי וזיכרון.
השבב הראשון שיוצר בתהליך החדש של 22nm הוא הרחבה למשפחת ה-RA של החברה של 32-bit Arm Cortex-M מיקרו-בקרים. MCU אלחוטי חדש זה מציע Bluetooth 5.3 Low Energy עם שילוב SDR. היא מספקת פתרון עמיד לעתיד עבור לקוחות הבונים מוצרים המכוונים לחיים ארוכים. ניתן לשדרג את המכשירים עם תוכנת אפליקציה חדשה או יכולות בלוטות' במהלך הפיתוח או לאחר הפריסה כדי להבטיח עמידה בגרסאות המפרט העדכניות ביותר.
יצרני מוצרי קצה יכולים להשתמש במערך התכונות המלא של מהדורות קודמות של מפרט Bluetooth LE. בין אם מתכננים התקנים עבור יישומי איתור כיוון המשתמשים בתכונות Bluetooth 5.1 AoA/AoD או הוספת שידור אודיו סטריאו בעוצמה נמוכה למוצרים על ידי שימוש בערוצים איזוקרוניים של Bluetooth 5.2, מפתחים דורשים כעת רק מכשיר אחד כדי לתמוך בכל התכונות הללו.
"המנהיגות ה-MCU של Renesas מבוססת על מגוון רחב של מוצרים וטכנולוגיות תהליכי ייצור", אמר רוג'ר וונדלקן, סגן נשיא בכיר ביחידה העסקית של IoT ותשתיות של Renesas. "אנו שמחים להכריז על פיתוח המוצר הראשון של 22 ננומטר במשפחת ה-RA MCU, אשר יסלול את הדרך למכשירי הדור הבא שיסייעו ללקוחות להגן על העיצוב שלהם בעתיד תוך הבטחת זמינות לטווח ארוך. אנו מחויבים לספק את הביצועים הטובים ביותר, קלות השימוש והתכונות העדכניות ביותר בשוק. ההתקדמות הזו היא רק ההתחלה".
החברה תשלב את מכשירי ה-MCU החדשים 22nm עם מכשירים תואמים רבים מהפורטפוליו שלה כדי לספק מגוון רחב של שילובים מנצחים.
ראה עוד : מודולי IGBT | LCD מציג | רכיבים אלקטרוניים