Renesas Electronics Corporation ได้ผลิต MCU ตัวแรกโดยใช้กระบวนการ 22 นาโนเมตรขั้นสูง เทคโนโลยี. บริษัทสามารถนำเสนอประสิทธิภาพที่เหนือกว่าแก่ลูกค้าด้วยการใช้พลังงานที่ลดลง ซึ่งได้รับแรงหนุนจากแรงดันไฟฟ้าหลักที่ลดลงโดยใช้เทคโนโลยีกระบวนการที่ล้ำสมัย เทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูงยังช่วยให้สามารถรวมชุดคุณลักษณะที่หลากหลาย รวมถึงฟังก์ชันต่างๆ เช่น RF ได้ด้วย นอกจากนี้ โหนดกระบวนการขั้นสูงยังใช้พื้นที่ดายที่เล็กกว่าสำหรับฟังก์ชันการทำงานเดียวกัน ส่งผลให้ชิปมีขนาดเล็กลงพร้อมการผสานรวมอุปกรณ์ต่อพ่วงและหน่วยความจำที่สูงขึ้น
ชิปตัวแรกที่ผลิตบนกระบวนการ 22 นาโนเมตรใหม่นี้เป็นส่วนเสริมของตระกูล RA ของไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-M แบบ 32 บิตของบริษัท MCU ไร้สายใหม่นี้มี Bluetooth 5.3 พลังงานต่ำพร้อมการรวม SDR นำเสนอโซลูชันที่รองรับอนาคตสำหรับลูกค้าที่ต้องการสร้างผลิตภัณฑ์ที่มีอายุการใช้งานยาวนาน อุปกรณ์สามารถอัปเกรดได้ด้วยซอฟต์แวร์แอปพลิเคชันใหม่หรือความสามารถของ Bluetooth ตลอดการพัฒนาหรือหลังการปรับใช้เพื่อให้แน่ใจว่าสอดคล้องกับเวอร์ชันข้อมูลจำเพาะล่าสุด
ผู้ผลิตผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้ายสามารถใช้ชุดคุณสมบัติทั้งหมดของข้อกำหนด Bluetooth LE รุ่นก่อนหน้าได้ ไม่ว่าจะเป็นการออกแบบอุปกรณ์สำหรับแอพพลิเคชั่นค้นหาทิศทางโดยใช้คุณสมบัติ AoA/AoD ของ Bluetooth 5.1 หรือเพิ่มการส่งสัญญาณเสียงสเตอริโอพลังงานต่ำให้กับผลิตภัณฑ์โดยใช้ช่องสัญญาณ isochronous ของ Bluetooth 5.2 ปัจจุบันนักพัฒนาต้องการอุปกรณ์เพียงเครื่องเดียวเพื่อรองรับคุณสมบัติเหล่านี้ทั้งหมด
“ความเป็นผู้นำด้าน MCU ของ Renesas นั้นขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยีกระบวนการผลิตที่หลากหลาย” Roger Wendelken รองประธานอาวุโสหน่วยธุรกิจ IoT และโครงสร้างพื้นฐานของ Renesas กล่าว “เรามีความยินดีที่จะประกาศการพัฒนาผลิตภัณฑ์ 22 นาโนเมตรตัวแรกในตระกูล RA MCU ซึ่งจะปูทางสำหรับอุปกรณ์รุ่นต่อไปที่จะช่วยให้ลูกค้าสามารถพิสูจน์การออกแบบในอนาคตได้ ในขณะเดียวกันก็รับประกันความพร้อมใช้งานในระยะยาว เรามุ่งมั่นที่จะมอบประสิทธิภาพที่ดีที่สุด ใช้งานง่าย และคุณสมบัติล่าสุดในตลาด ความก้าวหน้านี้เป็นเพียงจุดเริ่มต้นเท่านั้น”
บริษัทจะรวม MCU 22 นาโนเมตรใหม่เข้ากับอุปกรณ์ที่เข้ากันได้จำนวนมากจากพอร์ตโฟลิโอของบริษัท เพื่อมอบชุดค่าผสมที่ชนะที่หลากหลาย
ดูเพิ่มเติม : โมดูล IGBT | จอแสดงผล LCD | ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์