絶縁ゲートドライバーは、電気自動車および産業用アプリケーションを対象としています

Silicon Labs は、電気自動車および産業アプリケーション向けに、Si828x バージョン 2 を使用して絶縁型ゲート ドライバー ファミリを拡張しました。 炭化ケイ素を駆動するように設計されています (SiC) FET ゲートである Si828x バージョン 2 は、電力密度の向上、低温動作、スイッチング損失の低減を必要とするハーフおよびフルブリッジ インバータおよび電源をターゲットとしています。

SiliconLabsのゲートドライバーはWolfspeedSiCでテストされています MOSFET。 これらのSiCFETをSi828xファミリと併用すると、電力と変換効率が向上します。これにより、バッテリセルが少なくなり、電気モーターに供給される電力が増え、運用コストが向上します。 Silicon LabsのSi828xとWolfspeedのC3Mファミリを含むテストレポート（pdf）と、ハーフブリッジリファレンスデザインのドキュメントが利用可能です。

Si828xバージョン2は、4アンペア（A）のピークゲート駆動電流、スイッチング遷移時間の短縮とスイッチング周波数の増加のための改善されたコモンモード過渡耐性（CMTI）、追加の低電圧（UVL）設定、および検出とFET飽和保護を提供します。障害状態を緩和します。 また、DC / DCコンバーターとミラークランプを統合して、寄生によって引き起こされるシュートスルー状態を排除します。

Si828xバージョン2絶縁ゲートドライバはAEC-Q100認定を受けており、-40〜125°Cの動作温度範囲を提供します。 自動車および産業グレードのワイドボディSOICパッケージに収容されているゲートドライバーは、現在入手可能です。