INFINEON IPP90R1K0C3 재고 있음

#IPP90R1K0C3 INFINEON IPP90R1K0C3 새로운 IPP90R1K0C3 전력 전계 효과 트랜지스터, 5.7A I (D), 900V, 1ohm, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-220AB, 녹색, 플라스틱, TO-220, 3핀; IPP90R1K0C3 , IPP90R1K0C3 사진, IPP90R1K0C3 가격, #IPP90R1K0C3 공급 업체
-----------------------
이메일 : sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/ipp90r1k0c3.html

-----------------------

제조업체 부품 번호: IPP90R1K0C3
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 권장하지 않음
IHS 제조업체 : 인피니언 테크놀로지스 AG
부품 패키지 코드 : TO-220AB
패키지 설명 : FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Pin Count : 3
제조업체 : Infineon Technologies AG
위험 순위 : 7.81
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 97mJ
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 900V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 5.7A
최대 드레인 전류 (ID) : 5.7A
드레인 소스 On 저항 최대 : 1 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-220AB
JESD-30 코드 : R-PSFM-T3
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 175 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : FLANGE MOUNT
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 89W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 12A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : NO
터미널 형태 : THROUGH-HOLE
터미널 위치 : 단일
Time
전력 전계 효과 트랜지스터, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1소자, N-채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-220AB, 녹색, 플라스틱, TO-220, 3핀