INFINEON IPP90R1K0C3 en stock

#IPP90R1K0C3 INFINEON IPP90R1K0C3 nouvel effet de champ de puissance IPP90R1K0C3 Transistor, 5.7 A I(D), 900 V, 1 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, VERT, PLASTIQUE, TO-220, 3 BROCHES ; IPP90R1K0C3, photos IPP90R1K0C3, prix IPP90R1K0C3, fournisseur #IPP90R1K0C3
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Numéro de référence du fabricant : IPP90R1K0C3
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Ihs Fabricant : Infineon TECHNOLOGIES SA
Code de paquet de pièce: TO-220AB
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 7.81
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 97 mJ
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 900 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 5.7 A
Courant de drain-Max (ID): 5.7 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 1 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL semi-conducteur
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 175 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 89 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 12 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, TO-220AB, VERT, PLASTIQUE, TO-220, 3 BROCHES