INFINEON IPP90R1K0C3 Disponibile

#IPP90R1K0C3 INFINEON IPP90R1K0C3 Nuovo effetto campo di potenza IPP90R1K0C3 Transistor, 5.7A I(D), 900 V, 1 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-220AB, VERDE, PLASTICA, TO-220, 3 PIN; IPP90R1K0C3, immagini IPP90R1K0C3, prezzo IPP90R1K0C3, fornitore #IPP90R1K0C3
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Codice produttore: IPP90R1K0C3
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Produttore: Infineon TECNOLOGIE AG
Codice confezione parte: TO-220AB
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Numero pin: 3
Produttore: Infineon Technologies AG
Grado di rischio: 7.81
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 97 mJ
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 900 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 5.7 A
Scarico corrente-max (ID): 5.7 A
Drain-source On Resistenza-Max: 1 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO semiconduttore
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 89 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 12 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, TO-220AB, VERDE, PLASTICA, TO-220, 3 PIN