NXP BZX84J-B3V9 재고 있음

업데이트: 20년 2023월 XNUMX일 태그 :ictechnology

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이메일 : sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/bzx84j-b3v9.html

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제조업체 부품 번호: BZX84J-B3V9
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : NEXPERIA
패키지 설명 : R-PDSO-F2
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8541.10.00.50
제조업체 : Nexperia
위험 순위 : 5.75
구성 : 단일
다이오드 소자 재질 : SILICON
다이오드 유형 : ZENER DIODE
JESD-30 코드 : R-PDSO-F2
JESD-609 코드 : e3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 1
터미널 수 : 2
작동 온도-최대 : 150 ° C
작동 온도-최소 : -55 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
극성 : 단방향
최대 전력 손실 : 0.55W
참조 표준: AEC-Q101; IEC-60134
참조 전압-Nom : 3.9V
표면 실장 : 예
Technology: 제너
터미널 마감 : 주석 (Sn)
터미널 형태 : FLAT
터미널 위치 : DUAL
전압 톨맥스: 2%
작동 테스트 전류 : 5mA
제너 다이오드