#BZX84J-B3V9 NXP BZX84J-B3V9 Diode Zener mới, hình ảnh BZX84J-B3V9, giá BZX84J-B3V9, nhà cung cấp # BZX84J-B3V9
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/bzx84j-b3v9.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: BZX84J-B3V9
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: NEXPERIA
Mô tả gói hàng: R-PDSO-F2
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.50
Nhà sản xuất: Nexperia
Xếp hạng rủi ro: 5.75
Cấu hình: SINGLE
Vật liệu phần tử Diode: SILICON
Loại diode: ZENER DIODE
Mã JESD-30: R-PDSO-F2
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 2
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực: UNIDIRECTIONAL
Công suất tiêu tán-Tối đa: 0.55 W
Tiêu chuẩn tham chiếu: AEC-Q101; IEC-60134
Tài liệu tham khảo Vôn-Nom: 3.9 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: ZENER
Kết thúc đầu cuối: Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: KÉP
Vôn Tol-Max: 2%
Kiểm tra làm việc hiện tại: 5 mA
Diode Zener
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: NEXPERIA
Mô tả gói hàng: R-PDSO-F2
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.50
Nhà sản xuất: Nexperia
Xếp hạng rủi ro: 5.75
Cấu hình: SINGLE
Vật liệu phần tử Diode: SILICON
Loại diode: ZENER DIODE
Mã JESD-30: R-PDSO-F2
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 2
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực: UNIDIRECTIONAL
Công suất tiêu tán-Tối đa: 0.55 W
Tiêu chuẩn tham chiếu: AEC-Q101; IEC-60134
Tài liệu tham khảo Vôn-Nom: 3.9 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: ZENER
Kết thúc đầu cuối: Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: KÉP
Vôn Tol-Max: 2%
Kiểm tra làm việc hiện tại: 5 mA
Diode Zener