NXP BZX84J-B3V9 en stock

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Numéro de pièce du fabricant : BZX84J-B3V9
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Ihs Fabricant: NEXPERIA
Description de l'emballage : R-PDSO-F2
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.10.00.50
Fabricant : Nexperia
Classement de risque: 5.75
Configuration: UNIQUE
Matériau de l'élément de diode: SILICIUM
Type de diode : DIODE ZENER
Code JESD-30 : R-PDSO-F2
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 2
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Température de fonctionnement-Min: -55 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité : UNIDIRECTIONNEL
Dissipation de puissance-Max: 0.55 W
Norme de référence : AEC-Q101 ; CEI-60134
Référence Tension-Nom: 3.9 V
Montage en surface: OUI
Technologie: ZÉNER
Finition du terminal : étain (Sn)
Forme du terminal : PLAT
Position terminale: DUAL
Tension Tol-Max : 2%
Courant de test de fonctionnement : 5 mA
Diode Zener