Alliance Memory heeft zijn high-speed CMOS mobiele low-power SDRAM's uitgebreid met een nieuw LPDDR4X-apparaat met on-chip ECC. De 4Gb AS8C4M256MD32V-4BAN vormt een uitbreiding op de vierde generatie LPDDR062 SDRAM's van het bedrijf en biedt -50% lagere vermogenswaarden in het 200-ball FBGA-pakket voor een hogere energie-efficiëntie.
Met een laag-spanning werking van 0.6 V, vergeleken met 1.1 V voor LPDDR4 SDRAM's, verlengt dit apparaat de levensduur van de batterij in draagbare elektronica voor de commerciële, consumenten- en industriële markten, waaronder smartphones, slimme luidsprekers en andere IoT-apparaten die gebruikmaken van AI- en 5G-technologieën.
De SDRAM biedt verhoogde efficiëntie voor geavanceerde audio en video met ultrahoge resolutie in embedded toepassingen en biedt hoge kloksnelheden van 1.6 GHz voor opmerkelijk hoge overdrachtssnelheden van 3.2 Gbps. Voor autotoepassingen, waaronder ADAS-systemen, werken de AEC-Q100-gekwalificeerde apparaten binnen een temperatuurbereik van -40C tot +105C.
De oplossing is georganiseerd als twee kanalen per apparaat, met afzonderlijke kanalen bestaande uit acht banken van 16 bits. Het onderdeel zorgt voor een volledig synchrone werking; programmeerbare lees- en schrijfburstlengtes van 16, 32 en on-the-fly; en selecteerbare output drive sterkte. Een temperatuur op de chip sensor regelt de zelfverversingssnelheid.
Deze SDRAM biedt een betrouwbare drop-in, pin-voor-pin-compatibele vervanging voor veel vergelijkbare oplossingen in high-bandwidth, high-performance geheugensysteemtoepassingen, waardoor dure herontwerpen en herkwalificatie van onderdelen niet meer nodig zijn.