Alliance Memory a étendu ses SDRAM mobiles à faible consommation CMOS haute vitesse avec un nouveau dispositif LPDDR4X doté de l'ECC sur puce. Fournissant une extension aux SDRAM LPDDR4 de quatrième génération de l'entreprise, l'AS8C4M256MD32V-4BAN 062 Go offre des puissances nominales inférieures de 50 % dans le boîtier FBGA 200 billes pour une efficacité énergétique supérieure.
Avec un faible-Tension fonctionnement de 0.6 V, contre 1.1 V pour les SDRAM LPDDR4, cet appareil prolonge la durée de vie de la batterie dans les appareils électroniques portables pour les marchés commerciaux, grand public et industriels, y compris les smartphones, les haut-parleurs intelligents et d'autres appareils IoT utilisant les technologies AI et 5G.
Offrant une efficacité accrue pour l'audio avancé et la vidéo ultra haute résolution dans les applications embarquées, la SDRAM offre des vitesses d'horloge rapides de 1.6 GHz pour des taux de transfert remarquablement élevés de 3.2 Gbit/s. Pour les applications automobiles, y compris les systèmes ADAS, les appareils qualifiés AEC-Q100 fonctionnent sur une plage de températures de -40C à +105C.
La solution est organisée en deux canaux par appareil, avec des canaux individuels comprenant huit banques de 16 bits. Le composant fournit un fonctionnement entièrement synchrone ; des longueurs de rafale de lecture et d'écriture programmables de 16, 32 et à la volée ; et puissance d'entraînement de sortie sélectionnable. Une température sur puce capteur contrôle le taux d'auto-rafraîchissement.
Cette SDRAM offre un remplacement fiable et compatible broche à broche pour de nombreuses solutions similaires dans les applications de système de mémoire hautes performances et à bande passante élevée, éliminant la nécessité de reconceptions coûteuses et de requalification des pièces.