Alliance Memory расширила свои высокоскоростные мобильные SDRAM с низким энергопотреблением CMOS новым устройством LPDDR4X с встроенным ECC. Обеспечивая расширение памяти LPDDR4 SDRAM четвертого поколения, 8-гигабайтный AS4C256M32MD4V-062BAN предлагает на 50% более низкую номинальную мощность в корпусе FBGA с 200 шариками для повышения энергоэффективности.
С низким-напряжение работа 0.6 В по сравнению с 1.1 В для SDRAM LPDDR4, это устройство продлевает срок службы батареи портативной электроники для коммерческого, потребительского и промышленного рынков, включая смартфоны, интеллектуальные колонки и другие устройства IoT, использующие технологии AI и 5G.
Обеспечивая повышенную эффективность для расширенного звука и видео сверхвысокого разрешения во встроенных приложениях, SDRAM обеспечивает высокую тактовую частоту 1.6 ГГц для исключительно высокой скорости передачи данных 3.2 Гбит / с. Для автомобильных приложений, включая системы ADAS, устройства, отвечающие требованиям AEC-Q100, работают в диапазоне температур от -40 ° C до + 105 ° C.
Решение организовано как два канала на устройство, при этом отдельные каналы состоят из восьми банков по 16 бит. Компонент обеспечивает полностью синхронную работу; программируемые длины пакетов чтения и записи 16, 32 и "на лету"; и выбираемая сила выходного привода. Температура на кристалле датчик контролирует частоту самообновления.
Эта SDRAM предлагает надежную замену, совместимую с выводами, для многих аналогичных решений в высокопроизводительных системных приложениях памяти с высокой пропускной способностью, устраняя необходимость в дорогостоящих модификациях и повторной аттестации компонентов.