Alliance Memory ได้ขยาย SDRAM พลังงานต่ำ CMOS แบบเคลื่อนที่ความเร็วสูงด้วยอุปกรณ์ LPDDR4X ใหม่ที่มี ECC บนชิป AS4C8M4MD256V-32BAN 4Gb เป็นการขยายไปยัง LPDDR062 SDRAM รุ่นที่สี่ของบริษัท โดยให้อัตราพลังงานที่ต่ำกว่า -50% ในแพ็คเกจ FBGA 200 ลูกเพื่อประสิทธิภาพพลังงานที่สูงขึ้น
ด้วยระดับต่ำ-แรงดันไฟฟ้า การทำงานของ 0.6V เมื่อเทียบกับ 1.1V สำหรับ LPDDR4 SDRAM อุปกรณ์นี้ช่วยยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพาสำหรับตลาดการค้า ผู้บริโภค และอุตสาหกรรม รวมถึงสมาร์ทโฟน ลำโพงอัจฉริยะ และอุปกรณ์ IoT อื่นๆ ที่ใช้เทคโนโลยี AI และ 5G
ให้ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นสำหรับเสียงขั้นสูงและวิดีโอความละเอียดสูงพิเศษในแอพพลิเคชั่นแบบฝังตัว SDRAM ให้ความเร็วสัญญาณนาฬิกาที่รวดเร็วที่ 1.6GHz สำหรับอัตราการถ่ายโอนที่สูงอย่างน่าทึ่งที่ 3.2Gbps สำหรับการใช้งานในยานยนต์ รวมถึงระบบ ADAS อุปกรณ์ที่ผ่านการรับรอง AEC-Q100 จะทำงานในช่วงอุณหภูมิ -40C ถึง +105C
โซลูชันนี้จัดเป็นสองช่องสัญญาณต่ออุปกรณ์ โดยแต่ละช่องประกอบด้วยช่องสัญญาณ 16 ช่องขนาด 16 บิต ส่วนประกอบให้การทำงานแบบซิงโครนัสอย่างสมบูรณ์ โปรแกรมอ่านและเขียนต่อเนื่องความยาว 32, XNUMX และในทันที; และความแรงของไดรฟ์เอาท์พุตที่เลือกได้ อุณหภูมิบนชิป เซ็นเซอร์ ควบคุมอัตราการรีเฟรชตัวเอง
SDRAM นี้ให้การแทนที่ที่เข้ากันได้แบบพินต่อพินที่เชื่อถือได้สำหรับโซลูชันที่คล้ายกันจำนวนมากในแอปพลิเคชันระบบหน่วยความจำแบนด์วิดธ์สูงและประสิทธิภาพสูง ขจัดความจำเป็นสำหรับการออกแบบใหม่และการกำหนดคุณสมบัติชิ้นส่วนที่มีราคาแพง