Poderia. 8, 2023 /Semimídia/ — A Infineon Technologies AG anuncia que integrou com sucesso o CoolGaN™ 600 V com injeção de porta integrada de drenagem híbrida Transistor (HD-GIT) tecnologia em sua fabricação interna. Aproveitando a cadeia de suprimentos totalmente controlada e controlada pela Infineon, o portfólio expandido de produtos GaN inclui uma ampla gama de dispositivos GaN discretos e totalmente integrados com vida útil muito superior aos requisitos da JEDEC. Os novos dispositivos CoolGaN são otimizados para uma variedade de aplicações, desde SMPS industriais para servidores, telecomunicações e energia solar até aplicações de consumo, como carregadores e adaptadores, acionamentos de motores, TVs/monitores e sistemas de iluminação LED.
O portfólio de dispositivos CoolGaN discretos e de estágio de potência integrado (IPS) fornece aos projetistas a flexibilidade necessária para atender às suas necessidades específicas para aplicações industriais em conformidade com os padrões JEDEC (JESD47 e JESD22). Os dispositivos CoolGaN GIT HEMT discretos estão disponíveis nos pacotes DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81- e TSON-8 e em vários estados de resistência (R DS(on) ,max) valores que variam de 42 a 340 mΩ. As soluções IPS vêm na forma de dispositivos de meia ponte e canal único. As soluções de meia ponte integram dois switches GaN e estão alojadas em um pacote TIQFN-28 com R DS(on), valores máximos de (2x) 190-650 mΩ. As soluções de canal único estão disponíveis em um pacote TIQFN-21 termicamente aprimorado com R DS(on), valores máximos na faixa de 130-340 mΩ.
A tecnologia CoolGaN GIT da Infineon apresenta uma combinação exclusiva de uma estrutura de porta robusta, proteção interna contra descarga eletrostática (ESD) e excelente desempenho R DS(on) dinâmico. Ele explora totalmente as propriedades intrínsecas do GaN para fornecer figuras de mérito (FoM) excepcionais em comparação com a tecnologia de Si, como campo de ruptura dez vezes maior, mobilidade de elétrons duas vezes maior, carga de saída dez vezes menor, carga de recuperação reversa zero e dez vezes carga de portão inferior com capacitância de saída linear (C OSS).
Esses recursos técnicos fornecem vantagens significativas de projeto, como R DS(on) muito baixo, eficiência aprimorada em circuitos ressonantes, uso de novas topologias e modulação de corrente, bem como comutação rápida e quase sem perdas.
A linha de dispositivos discretos CoolGaN 600 V GIT da Infineon inclui pacotes compatíveis com JEDEC (TSC/BSC) com resfriamento superior e inferior. Os pacotes de energia CoolGaN TSC são únicos no mercado e atendem a requisitos de energia mais altos. Os benefícios para os projetistas são múltiplos, resultando em produtos compactos e leves com alta densidade de potência, maior eficiência energética e redução dos custos totais do sistema. O compromisso da Infineon com os padrões de qualidade garante robustez incomparável e confiabilidade de longo prazo, reduzindo os custos operacionais e de manutenção para aplicações de alto consumo de energia.
Os dispositivos CoolGaN da Infineon estão em produção em volume, as amostras podem ser encomendadas agora. Para mais informações por favor visite www.infineon.com/coolgan.
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