#БСМ50ГБ120ДН2 Infineon BSM50GB120DN2 Новый 50A / 1200V /IGBT/2U;Модули IGBT 1200В 50А ДВОЙНОЙ, изображения BSM50GB120DN2, цена BSM50GB120DN2, поставщик #BSM50GB120DN2
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ50ГБ120ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: ДА
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 78
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 400 W
Пакет / Дело: Половина моста1
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Упаковка: насыпной
Максимальный излучатель затвора напряжение: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Количество в упаковке: 10
50A / 1200V / IGBT / 2U; модули IGBT 1200V 50A DUAL
Shunlongwei проверил все BSM50GB120DN2 перед отправкой, все BSM50GB120DN2 с 6-месячной гарантией.