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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM50GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: SIM
marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Meia Ponte
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 78 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 200 nA
Pd - Dissipação de energia: 400 W
Pacote / Caso: Meia Ponte 1
Temperatura operacional máxima: + 150ºC
Embalagem: Bulk
Emissor máximo de porta Voltagem: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
50A / 1200V / IGBT / 2U; Módulos IGBT 1200V 50A DUAL
Shunlongwei inspecionado cada BSM50GB120DN2 antes do navio, todos BSM50GB120DN2 com 6 meses de garantia.