#BSM200GA120DN2 Infineon BSM200GA120DN2 ใหม่ IGBT: 200A1200V;IGBT โมดูล 1200V 200A SINGLE, รูปภาพ BSM200GA120DN2, ราคา BSM200GA120DN2, ผู้จัดจำหน่าย #BSM200GA120DN2
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM200GA120DN2
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: IGBT โมดูล
RoHS: YES
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: เดียว
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200
ความอิ่มตัวของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ แรงดันไฟฟ้า: V 2.5
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 300
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 200 นาโนเมตร
Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 1550
แพ็คเกจ / เคส: 62 มม
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 150 องศาเซลเซียส
ตัวปล่อยประตูสูงสุด แรงดันไฟฟ้า: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
IGBT: 200A1200V; โมดูล IGBT 1200V 200A เดี่ยว
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM200GA120DN2 ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM200GA120DN2 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน