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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM200GA120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
RoHS: Si
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Individual
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C: 300 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 na
Pd - Disipación de energía: 1550 W
Paquete / Estuche: 62 mm
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
IGBT: 200A1200V; Módulos IGBT 1200V 200A SINGLE
Shunlongwei inspeccionó todos los BSM200GA120DN2 antes del envío, todos los BSM200GA120DN2 con 6 meses de garantía.