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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM200GA120DN2
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Simple
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 300
Courant de fuite porte-émetteur: 200 na
Pd - Dissipation de puissance: 1550 W
Paquet / Cas: 62 mm
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
IGBT: 200A1200V; modules IGBT 1200V 200A SINGLE
Shunlongwei inspecté chaque BSM200GA120DN2 avant expédition, tous les BSM200GA120DN2 avec 6 mois de garantie.