Infineon BSM200GA120DN2 em estoque

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BSM200GA120DN2

Fabricante: Infineon

Categoria de Produto: IGBT Módulos

RoHS: SIM

marca: Infineon Technologies

Produto: Módulos de silicone IGBT

Configuração: Individual

Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V

Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V

Corrente de coletor contínua a 25 C: 300 A

Corrente de vazamento do emissor-porta: 200 nA

Pd - Dissipação de energia: 1550 W

Pacote / Caso: 62 mm

Temperatura operacional máxima: + 150ºC

Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20 V

Temperatura operacional mínima: - 40 C

Estilo de montagem: Parafuso

Quantidade do pacote de fábrica: 10

IGBT: 200A1200V; Módulos IGBT 1200V 200A ÚNICO

Shunlongwei inspecionado todos os BSM200GA120DN2 antes do envio, todos os BSM200GA120DN2 com 6 meses de garantia.