#IS42S16800D-7BL ISSI IS42S16800D-7BL ذاكرة DRAM متزامنة جديدة، 8MX16، 5.4ns، CMOS، PBGA54، 8 × 13 مم، مسافة 0.80 مم، خالية من الرصاص، MINI، FBGA-54، صور IS42S16800D-7BL، سعر IS42S16800D-7BL، #IS42S16800D-7 المورد بي.إل
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
https://www.slw-ele.com/is42s16800d-7bl.html
-----------------------
رقم جزء الشركة المصنعة: IS42S16800D-7BL
كود Rohs: نعم
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة Ihs: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
كود حزمة الجزء: BGA
وصف العبوة: VFBGA، BGA54,9،9,32XXNUMX،XNUMX
دبوس عدد: 54
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8542.32.00.02
الشركة المصنعة: Integrated Silicon Solution Inc
ترتيب المخاطرة: 5.63
وضع الوصول: FOUR BANK PAGE BURST
وقت الوصول الأقصى: 5.4 نانوثانية
ميزة إضافية: تحديث تلقائي / ذاتي
تردد الساعة الأقصى (fCLK): 143 ميجا هرتز
نوع الإدخال / الإخراج: COMMON
طول انفجار معشق: 1,2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX
JESD-30 كود: R-PBGA-B54
JESD-609 كود: e1
الطول: 13 مم
كثافة الذاكرة: 134217728 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: DRAM متزامن
عرض الذاكرة: 16
مستوى حساسية الرطوبة: 3
عدد الوظائف: 1
عدد المنافذ: 1
عدد المحطات: 54
عدد الكلمات: 8388608 كلمة
عدد الكلمات كود: 8000000
وضع التشغيل: SYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 8MX16
خصائص الإخراج: 3-STATE
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: VFBGA
رمز معادلة العبوة: BGA54,9،9,32XXNUMX،XNUMX
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: صفيف شبكي ، ملف تعريف رفيع جدًا ، مساحة دقيقة
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
الطاقة المستلزمات: 3.3 فولت
حالة التأهيل: غير مؤهل
دورات التحديث: 4096
ارتفاع الجلوس: 1 ملم
طول الاندفاع المتسلسل: 1,2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX ، FP
الاستعداد الحالي - الحد الأقصى: 0.001 أ
الفئة الفرعية: DRAMs
العرض الحالي - ماكس: 0.13 مللي أمبير
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 3.6 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 3 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى-Nom (Vsup): 3.3 فولت
تركيب السطح: نعم
تكنولوجيا: كموس
درجة الحرارة: تجاري
النهاية الطرفية: القصدير / الفضة / النحاس (Sn / Ag / Cu)
شكل المحطة: كرة
الملعب الطرفي: 0.8 ملم
موقف المحطة: الأسفل
الوقت:
ذاكرة الوصول العشوائي المتزامنة، 8MX16، 5.4ns، CMOS، PBGA54، 8 × 13 مم، مسافة 0.80 مم، خالية من الرصاص، MINI، FBGA-54
كود Rohs: نعم
رمز دورة الحياة الجزئية: مهمل
الشركة المصنعة Ihs: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
كود حزمة الجزء: BGA
وصف العبوة: VFBGA، BGA54,9،9,32XXNUMX،XNUMX
دبوس عدد: 54
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8542.32.00.02
الشركة المصنعة: Integrated Silicon Solution Inc
ترتيب المخاطرة: 5.63
وضع الوصول: FOUR BANK PAGE BURST
وقت الوصول الأقصى: 5.4 نانوثانية
ميزة إضافية: تحديث تلقائي / ذاتي
تردد الساعة الأقصى (fCLK): 143 ميجا هرتز
نوع الإدخال / الإخراج: COMMON
طول انفجار معشق: 1,2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX
JESD-30 كود: R-PBGA-B54
JESD-609 كود: e1
الطول: 13 مم
كثافة الذاكرة: 134217728 بت
مكبر الصوت : يدعم، مع دعم ميكروفون مدمج لمنع الضوضاء IC النوع: DRAM متزامن
عرض الذاكرة: 16
مستوى حساسية الرطوبة: 3
عدد الوظائف: 1
عدد المنافذ: 1
عدد المحطات: 54
عدد الكلمات: 8388608 كلمة
عدد الكلمات كود: 8000000
وضع التشغيل: SYNCHRONOUS
درجة حرارة التشغيل: 70 درجة مئوية
المنظمة: 8MX16
خصائص الإخراج: 3-STATE
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
كود الحزمة: VFBGA
رمز معادلة العبوة: BGA54,9،9,32XXNUMX،XNUMX
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: صفيف شبكي ، ملف تعريف رفيع جدًا ، مساحة دقيقة
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
الطاقة المستلزمات: 3.3 فولت
حالة التأهيل: غير مؤهل
دورات التحديث: 4096
ارتفاع الجلوس: 1 ملم
طول الاندفاع المتسلسل: 1,2,4,8،XNUMX،XNUMX،XNUMX ، FP
الاستعداد الحالي - الحد الأقصى: 0.001 أ
الفئة الفرعية: DRAMs
العرض الحالي - ماكس: 0.13 مللي أمبير
دعم و إمداد الجهد االكهربى-الحد الأقصى (Vsup): 3.6 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى- الحد الأدنى (Vsup): 3 فولت
دعم و إمداد الجهد االكهربى-Nom (Vsup): 3.3 فولت
تركيب السطح: نعم
تكنولوجيا: كموس
درجة الحرارة: تجاري
النهاية الطرفية: القصدير / الفضة / النحاس (Sn / Ag / Cu)
شكل المحطة: كرة
الملعب الطرفي: 0.8 ملم
موقف المحطة: الأسفل
الوقت:
ذاكرة الوصول العشوائي المتزامنة، 8MX16، 5.4ns، CMOS، PBGA54، 8 × 13 مم، مسافة 0.80 مم، خالية من الرصاص، MINI، FBGA-54