#IS42S16800D-7BL ISSI IS42S16800D-7BL DRAM đồng bộ mới, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-54, IS42S16800D-7BL hình ảnh, IS42S16800D-7BL giá, # IS42S16800D-7BL nhà cung cấp
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
https://www.slw-ele.com/is42s16800d-7bl.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: IS42S16800D-7BL
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Mã phần gói: BGA
Mô tả gói: VFBGA, BGA54,9X9,32
Số lượng pin: 54
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.02
Nhà sản xuất: Integrated Silicon Solution Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.63
Chế độ truy cập: BỐN NGÂN HÀNG TRANG BURST
Thời gian truy cập tối đa: 5.4 ns
Tính năng bổ sung: TỰ ĐỘNG / TỰ LÀM MỚI
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 143 MHz
Loại I / O: COMMON
Chiều dài Burst xen kẽ: 1,2,4,8
Mã JESD-30: R-PBGA-B54
Mã JESD-609: e1
Chiều dài: 13 mm
Mật độ bộ nhớ: 134217728 bit
Bộ nhớ IC Loại: DRAM ĐỒNG BỘ
Chiều rộng bộ nhớ: 16
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 3
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 54
Số từ: 8388608 từ
Mã số từ: 8000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 8MX16
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: VFBGA
Mã tương đương gói: BGA54,9X9,32
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: GRID ARRAY, HỒ SƠ RẤT MỎNG, TRANG ĐIỂM MỸ THUẬT
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Power Nguồn cung cấp: 3.3 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Làm mới chu kỳ: 4096
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1 mm
Độ dài Burst tuần tự: 1,2,4,8, FP
Dòng chờ-Tối đa: 0.001 A
Danh mục con: DRAMs
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.13 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 3.6 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 3 V
Cung cấp Vôn-Nom (Vsup): 3.3 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Bạc / Đồng (Sn / Ag / Cu)
Dạng đầu cuối: BALL
Cao độ đầu cuối: 0.8 mm
Vị trí đầu cuối: BOTTOM
Thời gian
DRAM đồng bộ, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-54
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Mã phần gói: BGA
Mô tả gói: VFBGA, BGA54,9X9,32
Số lượng pin: 54
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.02
Nhà sản xuất: Integrated Silicon Solution Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.63
Chế độ truy cập: BỐN NGÂN HÀNG TRANG BURST
Thời gian truy cập tối đa: 5.4 ns
Tính năng bổ sung: TỰ ĐỘNG / TỰ LÀM MỚI
Tần số xung nhịp tối đa (fCLK): 143 MHz
Loại I / O: COMMON
Chiều dài Burst xen kẽ: 1,2,4,8
Mã JESD-30: R-PBGA-B54
Mã JESD-609: e1
Chiều dài: 13 mm
Mật độ bộ nhớ: 134217728 bit
Bộ nhớ IC Loại: DRAM ĐỒNG BỘ
Chiều rộng bộ nhớ: 16
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 3
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 54
Số từ: 8388608 từ
Mã số từ: 8000000
Chế độ hoạt động: ĐỒNG BỘ
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 8MX16
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: VFBGA
Mã tương đương gói: BGA54,9X9,32
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: GRID ARRAY, HỒ SƠ RẤT MỎNG, TRANG ĐIỂM MỸ THUẬT
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Power Nguồn cung cấp: 3.3 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Làm mới chu kỳ: 4096
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1 mm
Độ dài Burst tuần tự: 1,2,4,8, FP
Dòng chờ-Tối đa: 0.001 A
Danh mục con: DRAMs
Cung cấp hiện tại-Tối đa: 0.13 mA
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 3.6 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 3 V
Cung cấp Vôn-Nom (Vsup): 3.3 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Bạc / Đồng (Sn / Ag / Cu)
Dạng đầu cuối: BALL
Cao độ đầu cuối: 0.8 mm
Vị trí đầu cuối: BOTTOM
Thời gian
DRAM đồng bộ, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-54