#IS42S16800D-7BL ISSI IS42S16800D-7BL Neuer synchroner DRAM, 8MX16, 5.4 ns, CMOS, PBGA54, 8 x 13 mm, 0.80 mm Pitch, bleifrei, MINI, FBGA-54, IS42S16800D-7BL Bilder, IS42S16800D-7BL Preis, #IS42S16800D-7BL Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: IS42S16800D-7BL
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Teilepaketcode: BGA
Packungsbeschreibung: VFBGA, BGA54,9X9,32
Pin-Anzahl: 54
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8542.32.00.02
Hersteller: Integrated Silicon Solution Inc
Risikorang: 5.63
Zugriffsmodus: FOUR BANK PAGE BURST
Zugriffszeit-Max: 5.4 ns
Zusätzliche Funktion: AUTO/SELF REFRESH
Taktfrequenz-Max (fCLK): 143 MHz
E / A-Typ: GEMEINSAM
Interleaved Burst-Länge: 1,2,4,8
JESD-30-Code: R-PBGA-B54
JESD-609-Code: e1
Länge: 13 mm
Speicherdichte: 134217728 Bit
Memory IC Typ: SYNCHRONER DRAM
Speicherbreite: 16
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 3
Anzahl der Funktionen: 1
Anzahl der Ports: 1
Anzahl der Terminals: 54
Anzahl der Wörter: 8388608 Wörter
Anzahl der Wörter Code: 8000000
Betriebsmodus: SYNCHRON
Betriebstemperatur-Max: 70 ° C.
Organisation: 8MX16
Ausgabeeigenschaften: 3-STATE
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketcode: VFBGA
Paket-Äquivalenzcode: BGA54,9X9,32
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsart: GRID ARRAY, SEHR DÜNNES PROFIL, FEIN PITCH
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Power Versorgung: 3.3 V
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aktualisierungszyklen: 4096
Sitzhöhe-Max: 1 mm
Sequentielle Burst-Länge: 1,2,4,8,FP
Standby-Strom-Max: 0.001 A.
Unterkategorie: DRAMs
Versorgungsstrom-Max: 0.13 mA
Versorgung Spannung-Max (Vsup): 3.6 V.
Versorgung Spannung-Min (Vsup): 3 V.
Versorgung Spannung-Nom (Vsup): 3.3 V
Oberflächenmontage: JA
Technologie: CMOS
Temperaturstufe: GEWERBLICH
Terminal-Finish: Zinn/Silber/Kupfer (Sn/Ag/Cu)
Terminalform: BALL
Anschlussabstand: 0.8 mm
Klemmenposition: UNTEN
Uhrzeit
Synchroner DRAM, 8MX16, 5.4 ns, CMOS, PBGA54, 8 x 13 mm, 0.80 mm Abstand, bleifrei, MINI, FBGA-54
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Teilepaketcode: BGA
Packungsbeschreibung: VFBGA, BGA54,9X9,32
Pin-Anzahl: 54
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8542.32.00.02
Hersteller: Integrated Silicon Solution Inc
Risikorang: 5.63
Zugriffsmodus: FOUR BANK PAGE BURST
Zugriffszeit-Max: 5.4 ns
Zusätzliche Funktion: AUTO/SELF REFRESH
Taktfrequenz-Max (fCLK): 143 MHz
E / A-Typ: GEMEINSAM
Interleaved Burst-Länge: 1,2,4,8
JESD-30-Code: R-PBGA-B54
JESD-609-Code: e1
Länge: 13 mm
Speicherdichte: 134217728 Bit
Memory IC Typ: SYNCHRONER DRAM
Speicherbreite: 16
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 3
Anzahl der Funktionen: 1
Anzahl der Ports: 1
Anzahl der Terminals: 54
Anzahl der Wörter: 8388608 Wörter
Anzahl der Wörter Code: 8000000
Betriebsmodus: SYNCHRON
Betriebstemperatur-Max: 70 ° C.
Organisation: 8MX16
Ausgabeeigenschaften: 3-STATE
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketcode: VFBGA
Paket-Äquivalenzcode: BGA54,9X9,32
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsart: GRID ARRAY, SEHR DÜNNES PROFIL, FEIN PITCH
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Power Versorgung: 3.3 V
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aktualisierungszyklen: 4096
Sitzhöhe-Max: 1 mm
Sequentielle Burst-Länge: 1,2,4,8,FP
Standby-Strom-Max: 0.001 A.
Unterkategorie: DRAMs
Versorgungsstrom-Max: 0.13 mA
Versorgung Spannung-Max (Vsup): 3.6 V.
Versorgung Spannung-Min (Vsup): 3 V.
Versorgung Spannung-Nom (Vsup): 3.3 V
Oberflächenmontage: JA
Technologie: CMOS
Temperaturstufe: GEWERBLICH
Terminal-Finish: Zinn/Silber/Kupfer (Sn/Ag/Cu)
Terminalform: BALL
Anschlussabstand: 0.8 mm
Klemmenposition: UNTEN
Uhrzeit
Synchroner DRAM, 8MX16, 5.4 ns, CMOS, PBGA54, 8 x 13 mm, 0.80 mm Abstand, bleifrei, MINI, FBGA-54