#IS42S16800D-7BL ISSI IS42S16800D-7BL 새로운 동기식 DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MM 피치, 무연, MINI, FBGA-54, IS42S16800D-7BL 사진, IS42S16800D-7BL 가격, #IS42S16800D-7BL 공급업체
-----------------------
이메일 : [이메일 보호]
-----------------------
이메일 : [이메일 보호]
https://www.slw-ele.com/is42s16800d-7bl.html
-----------------------
제조업체 부품 번호: IS42S16800D-7BL
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조업체 : INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
부품 패키지 코드 : BGA
패키지 설명 : VFBGA, BGA54,9X9,32
Pin Count : 54
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8542.32.00.02
제조업체 : Integrated Silicon Solution Inc
위험 순위 : 5.63
액세스 모드 : FOUR BANK PAGE BURST
최대 액세스 시간 : 5.4ns
추가 기능 : AUTO / SELF REFRESH
최대 클록 주파수(fCLK): 143MHz
I / O 유형 : 공통
인터리브 버스트 길이 : 1,2,4,8
JESD-30 코드 : R-PBGA-B54
JESD-609 코드 : e1
길이: 13mm
메모리 밀도 : 134217728 비트
메모리 IC 유형 : 동시 DRAM
메모리 폭 : 16
수분 감도 수준 : 3
함수의 수 : 1
포트 수 : 1
터미널 수 : 54
단어 수 : 8388608 단어
단어 수 코드 : 8000000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 70 ° C
조직 : 8MX16
출력 특성 : 3- 상태
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드 : VFBGA
패키지 등가 코드 : BGA54,9X9,32
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
출력 공급 : 3.3V
자격 상태 : 자격 없음
새로 고침주기 : 4096
최대 장착 높이 : 1mm
순차 버스트 길이 : 1,2,4,8, FP
대기 전류-최대 : 0.001 A
하위 범주 : DRAM
공급 전류-최대 : 0.13mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 3.6V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 3V
혁신기술 전압-Nom (Vsup) : 3.3V
표면 실장 : 예
Technology: CMOS
온도 등급 : COMMERCIAL
끝 끝 : 주석 /은 / 구리 (Sn / Ag / Cu)
터미널 형태 : BALL
터미널 피치 : 0.8mm
터미널 위치 : BOTTOM
Time
동기식 DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13MM, 0.80MM 피치, 무연, MINI, FBGA-54
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조업체 : INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
부품 패키지 코드 : BGA
패키지 설명 : VFBGA, BGA54,9X9,32
Pin Count : 54
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8542.32.00.02
제조업체 : Integrated Silicon Solution Inc
위험 순위 : 5.63
액세스 모드 : FOUR BANK PAGE BURST
최대 액세스 시간 : 5.4ns
추가 기능 : AUTO / SELF REFRESH
최대 클록 주파수(fCLK): 143MHz
I / O 유형 : 공통
인터리브 버스트 길이 : 1,2,4,8
JESD-30 코드 : R-PBGA-B54
JESD-609 코드 : e1
길이: 13mm
메모리 밀도 : 134217728 비트
메모리 IC 유형 : 동시 DRAM
메모리 폭 : 16
수분 감도 수준 : 3
함수의 수 : 1
포트 수 : 1
터미널 수 : 54
단어 수 : 8388608 단어
단어 수 코드 : 8000000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 70 ° C
조직 : 8MX16
출력 특성 : 3- 상태
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드 : VFBGA
패키지 등가 코드 : BGA54,9X9,32
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
출력 공급 : 3.3V
자격 상태 : 자격 없음
새로 고침주기 : 4096
최대 장착 높이 : 1mm
순차 버스트 길이 : 1,2,4,8, FP
대기 전류-최대 : 0.001 A
하위 범주 : DRAM
공급 전류-최대 : 0.13mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 3.6V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 3V
혁신기술 전압-Nom (Vsup) : 3.3V
표면 실장 : 예
Technology: CMOS
온도 등급 : COMMERCIAL
끝 끝 : 주석 /은 / 구리 (Sn / Ag / Cu)
터미널 형태 : BALL
터미널 피치 : 0.8mm
터미널 위치 : BOTTOM
Time
동기식 DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13MM, 0.80MM 피치, 무연, MINI, FBGA-54