#IS42S16800D-7BL ISSI IS42S16800D-7BL 新しい同期 DRAM、8MX16、5.4ns、CMOS、PBGA54、8 X 13 MM、0.80 MM ピッチ、鉛フリー、MINI、FBGA-54、IS42S16800D-7BL 画像、IS42S16800D-7BL 価格、#IS42S16800D -7BLサプライヤー
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https://www.slw-ele.com/is42s16800d-7bl.html
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メーカー部品番号: IS42S16800D-7BL
Rohsコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
Ihsメーカー：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
パーツパッケージコード：BGA
パッケージの説明：VFBGA、BGA54,9、9,32XXNUMX、XNUMX
ピン数：54
ECCNコード：EAR99
HTSコード：8542.32.00.02
メーカー：Integrated Silicon Solution Inc
リスクランク：5.63
アクセスモード：FOUR BANK PAGE BURST
アクセス時間-最大：5.4 ns
追加機能：自動/自己更新
クロック周波数-最大（fCLK）：143 MHz
I / Oタイプ：COMMON
インターリーブバースト長：1,2,4,8
JESD-30コード：R-PBGA-B54
JESD-609コード：e1
長さ：13 mm
メモリ密度：134217728ビット
メモリ IC タイプ：同期DRAM
メモリ幅：16
水分感度レベル：3
関数の数：1
ポート数：1
ターミナル数：54
ワード数：8388608ワード
単語数コード：8000000
動作モード：同期
動作温度-最大：70°C
組織：8MX16
出力特性：3-STATE
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージコード：VFBGA
パッケージ同等コード：BGA54,9X9,32
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：グリッドアレイ、非常に薄いプロファイル、ファインピッチ
ピークリフロー温度（Cel）：260
出力 消耗品：3.3 V
資格ステータス：資格なし
更新サイクル：4096
着座高さ-最大：1 mm
シーケンシャルバースト長：1,2,4,8、FP
スタンバイ電流-最大：0.001 A
サブカテゴリ：DRAM
供給電流-最大：0.13 mA
供給 電圧-最大（Vsup）：3.6 V
供給 電圧-最小（Vsup）：3 V
供給 電圧-公称値（Vsup）：3.3 V
表面実装：はい
テクノロジー：CMOS
温度グレード：商用
端子仕上げ：錫/銀/銅（Sn / Ag / Cu）
ターミナルフォーム：BALL
ターミナルピッチ：0.8 mm
ターミナルポジション：BOTTOM
Time
同期 DRAM、8MX16、5.4ns、CMOS、PBGA54、8 X 13 MM、0.80 MM ピッチ、鉛フリー、MINI、FBGA-54
Rohsコード：はい
パーツライフサイクルコード：廃止
Ihsメーカー：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
パーツパッケージコード：BGA
パッケージの説明：VFBGA、BGA54,9、9,32XXNUMX、XNUMX
ピン数：54
ECCNコード：EAR99
HTSコード：8542.32.00.02
メーカー：Integrated Silicon Solution Inc
リスクランク：5.63
アクセスモード：FOUR BANK PAGE BURST
アクセス時間-最大：5.4 ns
追加機能：自動/自己更新
クロック周波数-最大（fCLK）：143 MHz
I / Oタイプ：COMMON
インターリーブバースト長：1,2,4,8
JESD-30コード：R-PBGA-B54
JESD-609コード：e1
長さ：13 mm
メモリ密度：134217728ビット
メモリ IC タイプ：同期DRAM
メモリ幅：16
水分感度レベル：3
関数の数：1
ポート数：1
ターミナル数：54
ワード数：8388608ワード
単語数コード：8000000
動作モード：同期
動作温度-最大：70°C
組織：8MX16
出力特性：3-STATE
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージコード：VFBGA
パッケージ同等コード：BGA54,9X9,32
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：グリッドアレイ、非常に薄いプロファイル、ファインピッチ
ピークリフロー温度（Cel）：260
出力 消耗品：3.3 V
資格ステータス：資格なし
更新サイクル：4096
着座高さ-最大：1 mm
シーケンシャルバースト長：1,2,4,8、FP
スタンバイ電流-最大：0.001 A
サブカテゴリ：DRAM
供給電流-最大：0.13 mA
供給 電圧-最大（Vsup）：3.6 V
供給 電圧-最小（Vsup）：3 V
供給 電圧-公称値（Vsup）：3.3 V
表面実装：はい
テクノロジー：CMOS
温度グレード：商用
端子仕上げ：錫/銀/銅（Sn / Ag / Cu）
ターミナルフォーム：BALL
ターミナルピッチ：0.8 mm
ターミナルポジション：BOTTOM
Time
同期 DRAM、8MX16、5.4ns、CMOS、PBGA54、8 X 13 MM、0.80 MM ピッチ、鉛フリー、MINI、FBGA-54