PHI BUK553-100B متوفر في المخزن

#بوك553-100ب PHI BUK553-100B تأثير مجال الطاقة الجديد الترانزستور، N- قناة ، أكسيد المعادن أشباه الموصلات FET ، ، BUK553-100B الصور ، BUK553-100B السعر ، # BUK553-100B المورد
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/buk553-100b.html

-----------------------

رقم الجزء المصنع: BUK553-100B
كود Rohs: لا
رمز دورة الحياة الجزئية: تم التحويل
الشركة المصنعة Ihs: PHILIPS SEMICONDUCTORS
حزمة الوصف: ،
الشركة المصنعة: Philips Semiconductors
ترتيب المخاطرة: 5.82
التكوين: مفرد
استنزاف الحالي - Max (Abs) (ID): 12 أ
المجالي تكنولوجيا: أكسيد المعادن أشباه الموصلات
JESD-609 كود: e0
وضع التشغيل: وضع التحسين
درجة حرارة التشغيل: 175 درجة مئوية
القطبية / نوع القناة: N-CHANNEL
تبديد الطاقة - ماكس (عبس): 75 واط
التصنيف الفرعي: FET General Purpose Power
جبل السطح: لا
إنهاء المحطة: القصدير / الرصاص (Sn / Pb)
ترانزستور تأثير مجال الطاقة ، قناة N ، أكسيد المعادن أشباه الموصلات FET ،