#BUK553-100B PHI BUK553-100B New Power Field-Effect Transistor, N-Kanal, Metal oksit Yarıiletken FET,, BUK553-100B pictures, BUK553-100B price, #BUK553-100B supplier
-----------------------
E-posta: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-posta: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/buk553-100b.html
-----------------------
Manufacturer Part Number: BUK553-100B
Rohs Kodu: Hayır
Parça Yaşam Döngüsü Kodu: Aktarıldı
Ihs Üretici: PHILIPS YARI İLETKENLER
Paket açıklaması: ,
Üretici: Philips Semiconductors
Risk Sıralaması: 5.82
Yapılandırma: Tek
Drenaj Akımı-Maks (Abs) (ID): 12 A
FET Teknoloji: METAL OKSİT Yarıiletken
JESD-609 Kodu: e0
Çalışma Modu: GELİŞTİRME MODU
Çalışma Sıcaklığı-Max: 175 ° C
Polarite / Kanal Tipi: N-CHANNEL
Güç Tüketimi - Maks (Abs): 75 W
Alt Kategori: FET Genel Maksat Gücü
Yüzey Montajı: HAYIR
Terminal Finish: Kalay/Kurşun (Sn/Pb)
Güç Alanı Etkili Transistör, N-Kanal, Metal oksit Yarıiletken FETÖ,
Rohs Kodu: Hayır
Parça Yaşam Döngüsü Kodu: Aktarıldı
Ihs Üretici: PHILIPS YARI İLETKENLER
Paket açıklaması: ,
Üretici: Philips Semiconductors
Risk Sıralaması: 5.82
Yapılandırma: Tek
Drenaj Akımı-Maks (Abs) (ID): 12 A
FET Teknoloji: METAL OKSİT Yarıiletken
JESD-609 Kodu: e0
Çalışma Modu: GELİŞTİRME MODU
Çalışma Sıcaklığı-Max: 175 ° C
Polarite / Kanal Tipi: N-CHANNEL
Güç Tüketimi - Maks (Abs): 75 W
Alt Kategori: FET Genel Maksat Gücü
Yüzey Montajı: HAYIR
Terminal Finish: Kalay/Kurşun (Sn/Pb)
Güç Alanı Etkili Transistör, N-Kanal, Metal oksit Yarıiletken FETÖ,