#BUK553-100B Hiệu ứng trường nguồn mới PHI BUK553-100B Transistor, Kênh N, Oxit kim loại Semiconductor FET ,, ảnh BUK553-100B, giá BUK553-100B, nhà cung cấp # BUK553-100B
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/buk553-100b.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: BUK553-100B
Mã Rohs: Không
Mã vòng đời một phần: Đã chuyển
Nhà sản xuất Ihs: PHILIPS SEMICONDUCTORS
Mô tả gói:,
Nhà sản xuất: Philips Semiconductors
Xếp hạng rủi ro: 5.82
Cấu hình: Đơn
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 12 A
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-609: e0
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 175 ° C
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 75 W
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Chì (Sn / Pb)
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện, kênh N, oxit kim loại Semiconductor FET,
Mã Rohs: Không
Mã vòng đời một phần: Đã chuyển
Nhà sản xuất Ihs: PHILIPS SEMICONDUCTORS
Mô tả gói:,
Nhà sản xuất: Philips Semiconductors
Xếp hạng rủi ro: 5.82
Cấu hình: Đơn
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 12 A
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-609: e0
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 175 ° C
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 75 W
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Chì (Sn / Pb)
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện, kênh N, oxit kim loại Semiconductor FET,