#BUK553-100B PHI BUK553-100B Efek Medan Daya Baru Transistor, N-Channel, Logam-oksida Semikonduktor FET,, gambar BUK553-100B, harga BUK553-100B, pemasok #BUK553-100B
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/buk553-100b.html
-----------------------
Nomor Bagian Produsen: BUK553-100B
Kode Rohs: Tidak
Kode Siklus Hidup Bagian: Ditransfer
Produsen Ihs: PHILIPS SEMICONDUCTORS
Deskripsi Paket:,
Pabrikan: Semikonduktor Philips
Peringkat Risiko: 5.82
Konfigurasi: Tunggal
Drain Current-Max (Abs) (ID): 12 A
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
JESD-609 Kode: e0
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 175 ° C
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 75 W.
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: TIDAK
Selesai Terminal: Timah / Timbal (Sn / Pb)
Transistor Efek Medan Daya, N-Channel, Metal-oksida Semikonduktor FET,
Kode Rohs: Tidak
Kode Siklus Hidup Bagian: Ditransfer
Produsen Ihs: PHILIPS SEMICONDUCTORS
Deskripsi Paket:,
Pabrikan: Semikonduktor Philips
Peringkat Risiko: 5.82
Konfigurasi: Tunggal
Drain Current-Max (Abs) (ID): 12 A
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
JESD-609 Kode: e0
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 175 ° C
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 75 W.
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: TIDAK
Selesai Terminal: Timah / Timbal (Sn / Pb)
Transistor Efek Medan Daya, N-Channel, Metal-oksida Semikonduktor FET,