تتطلب التطبيقات بما في ذلك الدراجات البخارية الإلكترونية والرافعات الشوكية الإلكترونية ومركبات العادم المنخفض العادم الأخرى ، بالإضافة إلى أدوات الطاقة وأنظمة إدارة البطارية ، تصنيفًا عاليًا للتيار وصلابة وعمرًا طويلاً تستجيب Infineon Technologies AG لهذه المطالب من خلال توفير المزيد من الخيارات لمصممي أنظمة الطاقة لتلبية متطلبات التصميم المتنوعة وتقديم أقصى أداء في أصغر مساحة. مع حزمة TO-Leadless (TOLL) المبتكرة ، فإنها توفر الآن قوتين جديدتين من OptiMOS MOSFET العبوات في عائلة TOLx: TOLG (الرصاص الذي يحتوي على خيوط Gullwing) و TOLT (التبريد الجانبي العلوي المحتوي على الرصاص). توفر عائلة TOLx معًا RDS (تشغيل) منخفضًا للغاية وتصنيفًا عالي التيار يزيد عن 300 أمبير لزيادة كفاءة النظام في تصميمات كثافة الطاقة العالية.
تمزج حزمة TOLG بين أفضل ميزات حزم TOLL و D 2PAK ذات 7 أسنان ، حيث تشترك في نفس البصمة 10 مم × 11 مم 2 والأداء الكهربائي مثل TOLL مع مرونة إضافية مقارنة بـ D 2PAK 7-pin. تتجلى المزايا الرئيسية لـ TOLG بشكل خاص في التصميمات ذات الألواح المعدنية المعزولة بالألمنيوم. في هذه التصميمات ، يكون معامل التمدد الحراري ، الذي يوضح ميل مادة ما لتغيير شكلها استجابة للتغيرات في درجة الحرارة ، أعلى من ألواح النحاس- IMS و FR4.
بمرور الوقت ، ينتج عن تدوير درجة الحرارة على متن السفينة صدع في مفصل اللحام بين العبوة وثنائي الفينيل متعدد الكلور. من خلال تعدد استخدامات خيوط جناح النوارس ، تُظهر TOLG قوة فائقة لمفاصل اللحام ، مما يحسن بشكل ملحوظ موثوقية المنتج في التطبيقات التي يحدث فيها تكرار لدرجات الحرارة. توفر الحزمة الجديدة أداء أعلى بمرتين من TCoB مقارنة بالمتطلبات القياسية IPC-9701.
تم تحسين حزمة TOLT لتحقيق أداء حراري فائق. تم تصميم الحزمة بإطارها الرصاصي المقلوب لوضع المعدن المكشوف على الجانب العلوي، وتشتمل على عدة أسلاك نورسية على كل جانب لتصريف الحمل عالي التيار وتوصيلات المصدر. مع الإطار الرصاصي المقلوب، تمر الحرارة من جانبه العلوي المعدني المكشوف، عبر المادة العازلة، مباشرة إلى المبدد الحراري. بالمقارنة مع حزمة التبريد في الجانب السفلي من TOLL، تعمل TOLT على تحسين R thJA بنسبة 20% وR thJC بنسبة 50%. تعمل هذه المواصفات على تسهيل انخفاض قائمة مكونات الصنف (BOM)، خاصة بالنسبة للمبدد الحراري. علاوة على ذلك، يعمل OptiMOS في TOLT على تقليل مساحة PCB، حيث قد يتم الآن تركيب المكونات في الجزء السفلي من اللوحة MOSFET.