Infineon Technologies und Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung und Produktion der zweiten Generation (Gen2) ihres GaN unterzeichnet Technologie, wodurch ein höherer Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte erreicht werden. Die außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit sowie die Fähigkeit zur Produktion von 8-Zoll-GaN-on-Si-Wafern markieren Infineons strategische Ausrichtung auf die steigende Nachfrage nach GaN-Leistungshalbleitern. Entsprechend den Marktanforderungen wird Gen2 als 650-V-GaN-HEMT entwickelt. Die Geräte sorgen für Benutzerfreundlichkeit und ein verbessertes Preis-Leistungs-Verhältnis und zielen unter anderem auf SMPS-Anwendungen mit hohem und niedrigem Stromverbrauch, erneuerbare Energien und Motorantriebsanwendungen ab.
„Zusätzlich zu den gleichen hohen Zuverlässigkeitsstandards wie bei Gen 1 profitieren Kunden mit der nächsten Generation von einer noch einfacheren Steuerung des.“ Transistor sowie eine deutlich verbesserte Kostenposition dank der Umstellung auf eine 8″-Wafer-Fertigung“, sagt Andreas Urschitz, Präsident des Energie- und Energiebereichs von Infineon Sensor Systemabteilung. Wie die gemeinsam entwickelten Gen-1-Geräte, bekannt als CoolGaN von Infineon und X-GaN von Panasonic, wird die zweite Generation auf dem normalerweise ausgeschalteten GaN-auf-Silizium basieren Transistor Struktur. Dies in Kombination mit der unübertroffenen Robustheit der Hybrid-Drain-Embedded Gate Injection Transistor (HD-GIT)-Struktur macht diese Komponenten zum Produkt der Wahl und zu einer der langfristig zuverlässigsten Lösungen auf dem Markt.
„Wir freuen uns, unsere Partnerschaft und Zusammenarbeit mit Infineon im Bereich GaN-Komponenten zu erweitern. Im Rahmen des gemeinsamen Ansatzes werden wir in der Lage sein, Gen1- und Gen2-Geräte in hoher Qualität und basierend auf den neuesten Innovationsentwicklungen einzusetzen“, sagt Tetsuzo Ueda, stellvertretender Direktor der Engineering Division, Industrial Solutions Company, Panasonic Corporation.