Infineon Technologies dan Panasonic Corporation telah menandatangani perjanjian untuk pengembangan dan produksi bersama GaN generasi kedua (Gen2) mereka teknologi, memberikan tingkat efisiensi dan kepadatan daya yang lebih tinggi. Performa dan keandalan yang luar biasa, serta kemampuan produksi wafer 8″ GaN-on-Si, menandai jangkauan strategis Infineon terhadap meningkatnya permintaan semikonduktor daya GaN. Sesuai dengan kebutuhan pasar, Gen2 akan dikembangkan sebagai HEMT GaN 650V. Perangkat ini akan memberikan kemudahan penggunaan dan memberikan rasio harga-kinerja yang lebih baik, dengan menargetkan, antara lain, aplikasi SMPS berdaya tinggi dan rendah, energi terbarukan, dan aplikasi penggerak motor.
“Selain standar keandalan tinggi yang sama seperti untuk Gen 1, dengan generasi berikutnya pelanggan akan mendapatkan keuntungan dari kontrol yang lebih mudah dari Transistor serta posisi biaya yang meningkat secara signifikan, berkat perpindahan ke manufaktur wafer 8″,” kata Andreas Urschitz, presiden Infineon's Power and Sensor Divisi Sistem. Seperti perangkat Gen 1 yang dikembangkan bersama, yang dikenal sebagai CoolGaN Infineon dan X-GaN Panasonic, generasi kedua akan didasarkan pada GaN-on-silicon yang biasanya mati. Transistor struktur. Ini, dalam kombinasi dengan kekokohan yang tak tertandingi dari struktur transistor injeksi gerbang (HD-GIT) yang tertanam dengan saluran pembuangan-hibrida, menjadikan komponen ini produk pilihan dan salah satu solusi andal jangka panjang di pasar.
“Kami senang dapat memperluas kemitraan dan kolaborasi kami dengan Infineon pada komponen GaN. Dalam pendekatan bersama, kami akan dapat menerapkan perangkat Gen1 dan Gen2 pada kualitas tinggi dan berdasarkan perkembangan inovasi terbaru”, kata Tetsuzo Ueda, associate director Divisi Teknik, Perusahaan Solusi Industri, Panasonic Corporation.