Infineon Technologies e Panasonic Corporation hanno firmato un accordo per lo sviluppo e la produzione congiunti della seconda generazione (Gen2) del loro GaN la tecnologia, fornendo livelli di efficienza e densità di potenza più elevati. Le eccezionali prestazioni e affidabilità, insieme alla capacità di produzione di wafer GaN-on-Si da 8″, segnano l'approccio strategico di Infineon alla crescente domanda di semiconduttori di potenza GaN. In conformità con i requisiti del mercato, Gen2 sarà sviluppato come HEMT GaN da 650 V. I dispositivi garantiranno facilità d'uso e offriranno un migliore rapporto prezzo-prestazioni, mirando, tra gli altri, ad applicazioni SMPS ad alta e bassa potenza, energie rinnovabili e applicazioni di azionamento di motori.
“Oltre agli stessi standard di alta affidabilità della Gen 1, con la prossima generazione i clienti beneficeranno di un controllo ancora più semplice del Transistor oltre a una posizione di costo notevolmente migliorata, grazie al passaggio a una produzione di wafer da 8″", afferma Andreas Urschitz, presidente di Infineon's Power and sensore Divisione Sistemi. Come i dispositivi Gen 1 sviluppati congiuntamente, noti come CoolGaN di Infineon e X-GaN di Panasonic, la seconda generazione si baserà sul GaN-on-silicon normalmente spento Transistor struttura. Questo, in combinazione con l'impareggiabile robustezza della struttura del transistor a iniezione di gate ibrido-drain-embedded (HD-GIT), rende questi componenti il prodotto preferito e una delle soluzioni affidabili più a lungo termine sul mercato.
“Siamo lieti di estendere la nostra partnership e collaborazione con Infineon sui componenti GaN. Nell'ambito dell'approccio congiunto, saremo in grado di applicare dispositivi Gen1 e Gen2 di alta qualità e basati sugli ultimi sviluppi dell'innovazione", afferma Tetsuzo Ueda, direttore associato della divisione Engineering, Industrial Solutions Company, Panasonic Corporation.