インフィニオン テクノロジーズとパナソニック株式会社は、第 2 世代 (GenXNUMX) GaN の共同開発および生産に関する契約を締結しました。 テクノロジー、より高い効率と電力密度レベルを提供します。 卓越した性能と信頼性は、8 インチ GaN-on-Si ウェハ生産能力と相まって、GaN パワー半導体に対する需要の増大に対するインフィニオンの戦略的な取り組みを示しています。 市場の要件に従って、Gen2 は 650V GaN HEMT として開発されます。 このデバイスは使いやすさを提供し、価格性能比の向上を実現し、特に高電力および低電力の SMPS アプリケーション、再生可能エネルギー、モーター駆動アプリケーションをターゲットとしています。
「第 1 世代と同じ高信頼性規格に加えて、次世代ではお客様は、より容易な制御の恩恵を受けることになります。 トランジスタ 8 インチウェーハ製造への移行のおかげで、コスト面でも大幅に改善されました」とインフィニオンのパワー＆アンド・カンパニー社長、アンドレアス・ウルシッツ氏は述べています。 センサー システム事業部。 インフィニオンのCoolGaNやパナソニックのX-GaNとして知られる共同開発された第1世代デバイスと同様に、第XNUMX世代はノーマリーオフのGaNオンシリコンをベースとします。 トランジスタ 構造。 これは、ハイブリッドドレイン埋め込みゲートインジェクショントランジスタ（HD-GIT）構造の比類のない堅牢性と相まって、これらのコンポーネントを最適な製品にし、市場で最も長期的に信頼できるソリューションのXNUMXつにしています。
「GaNコンポーネントに関してインフィニオンとのパートナーシップとコラボレーションを拡大できることを嬉しく思います。 共同アプローチの中で、最新のイノベーション開発に基づいた高品質の第 1 世代および第 2 世代デバイスを適用できるようになります。」とパナソニック株式会社インダストリアルソリューションズ社エンジニアリング部アソシエイトディレクターの上田哲三氏は述べています。