Infineon Technologies en Panasonic Corporation hebben een overeenkomst getekend voor de gezamenlijke ontwikkeling en productie van de tweede generatie (Gen2) van hun GaN technologie, waardoor hogere efficiëntie en vermogensdichtheidsniveaus worden geboden. De uitzonderlijke prestaties en betrouwbaarheid, samen met de mogelijkheid tot 8″ GaN-op-Si waferproductie, markeren Infineon's strategische aanpak voor de toenemende vraag naar GaN-vermogenshalfgeleiders. In overeenstemming met de marktvereisten zal Gen2 worden ontwikkeld als 650V GaN HEMT. De apparaten zullen zorgen voor gebruiksgemak en een betere prijs-prestatieverhouding, waarbij ze onder meer gericht zijn op SMPS-toepassingen met hoog en laag vermogen, hernieuwbare energiebronnen en motoraandrijvingstoepassingen.
“Naast dezelfde hoge betrouwbaarheidsnormen als voor Gen 1, zullen de volgende generatie klanten profiteren van een nog eenvoudigere controle van de Transistor evenals een aanzienlijk verbeterde kostenpositie, dankzij de overstap naar een 8″-waferproductie”, zegt Andreas Urschitz, president van Infineon's Power en sensor Afdeling Systemen. Net als de gezamenlijk ontwikkelde Gen 1-apparaten, bekend als Infineon's CoolGaN en Panasonic's X-GaN, zal de tweede generatie gebaseerd zijn op het normaal uitgeschakelde GaN-op-silicium Transistor structuur. Dit, in combinatie met de ongeëvenaarde robuustheid van de hybride-drain-embedded gate-injectietransistor (HD-GIT)-structuur, maakt deze componenten het product bij uitstek en een van de meest betrouwbare oplossingen op de lange termijn op de markt.
“We zijn verheugd om onze samenwerking en samenwerking met Infineon op GaN-componenten uit te breiden. Binnen de gezamenlijke aanpak zullen we in staat zijn om Gen1- en Gen2-apparaten toe te passen op hoge kwaliteit en op basis van de nieuwste innovatieontwikkelingen”, zegt Tetsuzo Ueda, associate director van Engineering Division, Industrial Solutions Company, Panasonic Corporation.