Die Infineon Technologies AG (FWB: IFX / OTCQX: IFNNY) erweitert ihr wachsendes Portfolio an Einkanal-Gate-Treiber-ICs. Die neue EiceDRIVER™ 1EDB-Familie von einkanaligen Gate-Treiber-ICs bietet eine galvanische Trennung von Eingang zu Ausgang von 3 kVrms (UL 1577), die eine robuste Erdschleifentrennung gewährleistet. Ihre Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) überschreitet 300 V/ns, was diese Bausteine zur perfekten Wahl für hart schaltende Anwendungen macht, die zahlreiche Topologien ermöglichen.
Die neue 1EDB-Familie umfasst vier Teile (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F und 1EDB9275F) und ist sowohl für High- als auch Low-Side-Anwendungen optimiert. Sie können PCB-Layout-Probleme lösen, die bei Hochleistungsanwendungen wie Server- und Telekommunikations-Schaltnetzteilen (SMPS) sowie unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen (USV) häufig vorkommen. Aufgrund ihres erhöhten Leistungsdichtebedarfs EV-Laden Bauformen erfordern oft schnelle Schaltleistung Mosfets. Photovoltaik Wechselrichter nutzen Siliziumkarbid-MOSFETs, da sie sowohl geringere Schaltverluste als auch einen deutlichen Fortschritt in der Leistungsdichte ermöglichen. Die neue 1EDB-Familie adressiert all diese Anwendungen und gewährleistet eine hohe Systemeffizienz sowie einen robusten und sicheren Systembetrieb.
Alle Produkte werden mit separaten und sehr niederohmigen (0.95 Ω) Quellen- und (0.48 Ω) Senkenausgängen für einfaches Design geliefert und bieten typische Treiberstärken von 5.4 AHaupt Quelle und 9.8 AHaupt sinken. Dieses Merkmal spielt eine entscheidende Rolle bei der Reduzierung der Schaltverluste von Leistungs-MOSFETs. Die Genauigkeit der Ausbreitungsverzögerung von Eingang zu Ausgang beträgt +/- 4 ns und trägt dazu bei, Schaltverluste zu reduzieren, was bei schnell schaltenden Anwendungen unerlässlich ist. Die typische Klemmgeschwindigkeit der Endstufe beträgt nur 20 ns und unterstützt einen funktionssicheren Systembetrieb, insbesondere beim Anfahren.
Konstrukteure können zwischen vier verschiedenen Optionen zur Ausgangsunterspannungssperre (UVLO) wählen:
- 0 V für MOSFETs mit Logikpegel (1EDB7275F)
- 0 V für Normalpegel-MOSFETs (1EDB8275F)
- 12 V für CoolSiC™ MOSFETs 650 V (15 V Ansteuerschema, 1EDB6275F)
- 14 V für CoolSiC™ MOSFETs 650 V (≥18 V Ansteuerschema, 1EDB9275F)
Verfügbarkeit
Die EiceDRIVER 1EDB7275F und 1EDB8275F sind in 150-Pin-DSO-Gehäusen von 8 mil erhältlich und können ab sofort bestellt werden. Die Varianten 1EDB6275F und 1EDB9275F folgen in Kürze. Weitere Informationen finden Sie unter www.infineon.com/1EDB