אינפיניון טכנולוגיות AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) מרחיבה את התיק ההולך וגדל שלה של ICs לנהג שערים חד-ערוציים. משפחת EiceDRIVER ™ 1EDB החדשה של IC בעל מנעול שער בעל ערוץ יחיד מספק בידוד קלט-פלט גלווני של 3 קילו וולט.rms (UL 1577) המבטיח הפרדה מחוספסת של לולאת הקרקע. החסינות החולפת שלהם במצב משותף (CMTI) עולה על 300 וולט לשנייה, מה שהופך מכשירים אלה לבחירה המושלמת ליישומי מיתוג קשים המאפשרים טופולוגיות רבות.
משפחת 1EDB החדשה כוללת ארבעה חלקים (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F ו- 1EDB9275F) והיא מותאמת לשני היישומים בצד הגבוה / הנמוך. הם יכולים לפתור בעיות פריסת PCB, הנפוצות ביישומים עתירי הספק כגון ספקי כוח במצב שרת ומוצרי החלפה (SMPS) וכן במערכות אספקת חשמל ללא הפרעה (UPS). בשל הצורך המוגבר שלהם לצפיפות הספק, טעינת EV עיצובים דורשים לעיתים קרובות כוח מיתוג מהיר מוספים. פוטו-וולטאי הממירים מנצלים MOSFET של סיליקון קרביד מכיוון שהם מאפשרים הפסדי מיתוג נמוכים יותר וצעד משמעותי קדימה בצפיפות ההספק. משפחת 1EDB החדשה מטפלת בכל היישומים הללו, ומבטיחה יעילות מערכת גבוהה ותפעול מערכת חסון ובטוח.
כל המוצרים מגיעים עם מקור נפרד ואוחטי נמוך (0.95 Ω) ויציאות כיור (0.48 Ω) כדי להקל על העיצוב, ומציעות עוצמות כונן אופייניות של 5.4 Aשיא מקור ו 9.8 אשיא כִּיוֹר. לתכונה זו תפקיד חיוני בהפחתת הפסדי המיתוג של MOSFET כוח. דיוק עיכוב ההפצה של קלט לפלט הוא +/- 4 ns המסייע בקיצוץ הפסדי מיתוג, דבר החיוני ביישומי מיתוג מהירים. מהירות הידוק שלב הפלט האופיינית קצרה עד 20 ns ותומכת בתפעול מערכת בטוח מבחינה תפקודית, במיוחד במהלך ההפעלה.
מעצבים יכולים לבחור בין ארבע אפשרויות נעילת מתח תחתונה (UVLO):
- 0 וולט עבור MOSFET ברמת ההיגיון (1EDB7275F)
- 0 וולט עבור MOSFET ברמה הרגילה (1EDB8275F)
- 12 וולט עבור CoolSiC ™ MOSFETs 650 וולט (ערכת נהיגה 15 וולט, 1EDB6275F)
- 14 וולט עבור CoolSiC ™ MOSFETs 650 וולט (ערכת נהיגה ≥18 וולט, 1EDB9275F)
זמינות
EiceDRIVERs 1EDB7275F ו- 1EDB8275F זמינים בחבילות DSO של 150 מיליון פינים וניתן להזמינן כעת. גרסאות 8EDB1F ו- 6275EDB1F יגיעו בקרוב. מידע נוסף ניתן למצוא באתר www.infineon.com/9275EDB